HBM王座要易主?三星HBM4良率破80% 瑞銀:2027年41%微超SK海力士登頂
鉅亨網編譯陳韋廷
韓媒上週日 (9 日) 披露,南韓三星電子 HBM4 量產良率已在本月初突破 80%「黃金良率」門檻,較原定的年底目標提前約四個月達成。

今年 2 月,三星 HBM4 啟動量產時良率尚不足 60%,僅用半年拉升逾 20 個百分點,缺陷率可控、具備規模獲利基礎,標誌著三星在 HBM 賽道正式吹響翻身號角。
根據 Counterpoint 數據,今年首季 HBM 市占率 SK 海力士以 58% 居首,三星與美光各佔 21%,但三星整體 DRAM 市佔達 39%,HBM 地位明顯落後。
良率躍升後,三星定下階段性目標:今年第三季 HBM4 營收季增 3 倍以上、下半年佔整體 HBM 營收超 60%、年底 HBM 市佔拉近至約 38% 與 DRAM 看齊。
瑞銀 (UBS) 預測,按比特出貨份額計,2026 年 SK 海力士以 48% 穩坐第一,2027 年三星將以 41% 微幅反超海力士的 39%,首度登頂。三星已推進 HBM4E(目標良率 70%、明年上半年發布)與客製化 HBM 佈局,12 層 HBM4E 樣品 5 月出貨。
隨著良率企穩,HBM 競爭從「研發比拚」轉向「產能爭奪」,而今年第四季三星與 SK 海力士的擴產速度,將決定 2027 年王座歸屬。
延伸閱讀
- SK海力士擬赴日本合資設記憶體晶片廠!南韓5.4兆韓元擴產同步推進
- A記憶體價格超越一顆頂級SoC!Gartner上修2026年營收至8373億美元、占半導體市場54%
- 輝達70%成長帶旺記憶體!美銀喊2027年DRAM營收增幅上看80%、DDR4狂飆879%
- 英特爾14A製程迎重大進展!缺陷密度創22奈米後最佳、客戶開始搶問產能
- 講座
- 公告
上一篇
下一篇