ASML估High NA EUV製晶片數月亮相 點名台積、三星AI瓶頸

多家外媒報導，艾司摩爾 (ASML-US) 新一代高數值孔徑極紫外光曝光機 (High-NA EUV) 商用進展再傳新消息。ASML 執行長福克 (Christophe Fouquet) 表示，未來幾個月內，市場可望看到首批由新一代 High-NA EUV 製造的晶片產品問世，代表先進製程正式邁向下一階段。

福克週二 (19 日) 在比利時研究機構 imec 舉辦的會議上指出：「未來幾個月內，我們將看到首批使用新一代 High-NA EUV 製造的產品，包括記憶體還是邏輯電路在內。」

他指出：「這些技術確實昂貴，也需要認證，但從設計之初就考慮到，隨時間推進可降低線路圖案化 (Patterning) 成本。」

新一代 High-NA EUV 被視為現有 EUV 技術升級版，可透過更高數值孔徑提升解析度，進一步縮減晶片線寬，支援更高密度電晶體設計，最小特徵尺寸可再縮小約 66%，如同相機提升對焦精度後，能拍出更細緻的畫面，這被市場視為未來 2 奈米以下製程的重要設備。

英特爾 (INTC-US) 是導入新一代 High-NA EUV 最積極的廠商，希望藉此超越台積電與三星，包括 SK 海力士等記憶體大廠也已表態計畫採用該技術。

不過，高昂成本仍是客戶導入主要考量之一。市場近期傳出台積電 (TSM-US) 因成本因素，暫緩採購新一代 High-NA EUV。

據了解，單台 High-NA EUV 售價最高可達 4 億美元，約合新台幣 120 億元，價格約為現有 EUV 系統兩倍，也讓晶圓廠在導入速度與投資效益間持續權衡。

福克也指出，AI 熱潮預計將推動未來數年全球晶片銷售額每年成長約 20%。

他坦言，業界部分人士擔憂 ASML 產能可能成為擴產「瓶頸」，如同新冠疫情期間曾發生的情況，但他同時回應了先前在會議上發言的台積電 (TSM-US) 和三星高層，打趣道，他們才是 AI 真正的「瓶頸」，因為這些公司必須擴大產能並購買更多 ASML 的產品。