三星即將量產HBM4,搶攻輝達AI晶片供應鏈關鍵一席
優分析 Uanalyze

2026年01月26日(優分析/產業數據中心報導)⸺ 三星電子預計將於下個月開始量產下一代高頻寬記憶體(HBM)晶片 HBM4,並將供應給輝達(Nvidia),根據知情人士透露,這項布局標誌著三星加速追趕主要競爭對手 SK 海力士的步伐。
過去一年,由於 HBM 出貨延遲影響營收表現,導致三星在 AI 晶片市場的競爭地位略顯吃力。如今,藉由 HBM4 順利通過輝達與超微(AMD)的驗證測試,三星可望重新進入高階 AI 晶片供應鏈。
市場對這項消息反應熱烈,三星股價當日上漲 2.2%,顯示投資人對其進軍 HBM4 供應鏈充滿信心;反觀主要競爭對手 SK 海力士則下跌 2.9%,反映市場對其領先優勢可能被稀釋的憂慮。
SK 海力士去年 10 月才宣布完成明年 HBM 出貨合約,雖未具體提及 HBM4 是否包含其中,但其位於清州的新廠 M15X 預計也將於下月開始部署矽晶圓,可能也將進入 HBM4 製造程序。
輝達執行長黃仁勳本月稍早表示,公司下一代晶片平台「Vera Rubin」已進入全面量產階段,這款新平台預定與 HBM4 晶片搭配使用,並將於今年稍後正式上市。
換言之,HBM4 不僅是記憶體升級,更是支撐 AI 運算能力的關鍵組件,其傳輸速率與容量皆遠超過前代,有望成為大型語言模型與生成式 AI 運算的核心驅動力。
三星與 SK 海力士皆預計於本週四公布第四季財報,屆時外界預期兩家公司將進一步揭露 HBM4 訂單與產能規劃細節。
※ 本文經「優分析」授權轉載,原文出處:原文連結
※ 免責聲明:文中所提的個股、基金、期貨商品內容僅供參考,並非投資建議,投資人應獨立判斷,審慎評估風險。
- 降息還是升息?專家帶您破解美聯儲下一步
- 掌握全球財經資訊點我下載APP
延伸閱讀
- AI記憶體戰爭升級!美光砸重金擴產HBM4 12層 拚年底月產能達10萬片
- 中國記憶體大廠加速搶市占 SK海力士恐成最大輸家
- Kioxia、Sandisk擴大NAND布局:Fab2已量產第10代3D Flash,Fab3最快2028年4月起進入投產時程
- 川普政府醞釀新一輪半導體關稅三星、SK海力士美國產能成防火牆
- 講座
- 公告
上一篇
下一篇