〈SEMICON〉鴻海舉辦2025 NExT Forum 秀第四代半導體研發成果

鴻海 (2317-TW) 旗下鴻海研究院與 SEMICON Taiwan 再度合作，今 (9) 日舉辦「功率暨光電半導體論壇 / NExT Forum 2025」。鴻海研究院也分享了最新在碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 與氧化鎵 (Ga₂O₃) 等化合物半導體的研發成果。

鴻海科技集團 S 事業群總經理陳偉銘指出，化合物半導體正快速成長，市場規模預估將由當前的 170 億美元，在 2030 年達到 300 億美元。其中，碳化矽在電動車效率與快速充電上已發揮關鍵作用，氮化鎵在 5G 高頻領域則具備優勢，同時這兩者也是 AI 伺服器與高效能運算的核心基礎。

本屆論壇以「Power & Optoelectronics: Unlocking the Future of AI」為主題，並邀請包括德州儀器 (Texas Instruments)、英飛凌 (Infineon)、博通 (Broadcom) 等國際半導體大廠，以及市場研究機構 Yole Development 帶來針對 AI 伺服器及資料中心應用、功率與光電半導體的最新市場與技術趨勢洞察。

論壇除了深入剖析化合物半導體如碳化矽、氮化鎵在 AI 伺服器功率解決方案的應用、矽光子技術在 AI 網路互聯的創新，以及整體產業如何透過高效能功率與光電元件驅動 AI 數據中心與智慧應用的未來發展。

隨著生成式 AI 與大型語言模型的運算需求急遽增加，AI 伺服器的能源轉換效率、熱管理及高頻高速通訊更成為產業關注焦點。論壇深入探討化合物半導體如何突破功率轉換瓶頸，實現更高能源效率，並透過光電技術支持高速資料傳輸，全面驅動 AI 產業升級。

鴻海研究院半導體研究所今年也在論壇中揭示與國立陽明交通大學 (NYCU)、美國伊利諾大學香檳分校 (UIUC) 最新的共同研究成果。該團隊於第四代半導體 β- 氧化鎵 (β-Ga₂O₃) 研發中引入(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃間隔層設計，利用能帶工程形成二維電子氣(2DEG)，成功大幅提升元件導通能力與耐壓特性。

相關論文已刊登於國際權威期刊《Advanced Electronic Materials》。此技術突破將為未來高功率應用及 AI 伺服器電源架構帶來全新解決方案。