SK海力士加大記憶體晶片投資 三星、美光不甘落後

高頻寬記憶體 (HBM) 正在成為持續人工智慧投資競賽中的一項關鍵技術，因為 SK 海力士計畫斥資數十億美元用於記憶體晶片生產。

近日《BusinessKorea》 報導指出，SK 海力士計畫在 2028 年投資 103 兆韓元 (合 748 億美元)，凸顯出該集團對半導體產業的押注，該公司認為半導體產業對其業務的未來發展至關重要。

SK 集團上周日在聲明中說，其中約 80%，即 82 兆韓元，將用於投資 HBM 晶片。 SK 海力士的 HBM 晶片經過優化，可與輝達的人工智慧加速器配合使用。作為押注人工智慧的一部分，SK 電訊公司和 SK 寬頻公司將投資 3.4 兆韓元用於資料中心業務。

據市場研究公司 TrendForce 稱，SK 海力士去年以 53% 的市占率領先 HBM 市場，其次是三星電子 (38%) 和美光 (9%)。

最近，關於 HBM 有很多消息，但 SK 海力士 HBM 設計主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇部落格中表示：「SK 海力士被公認為 HBM 市場無可爭議的領導者。」他進一步指出，SK Hynix 於 2009 年開始開發 HBM 晶片。該公司預計高性能記憶體晶片的需求將會增加，並花了四年時間開發 HBM，專注於矽通孔 (TSV) 技術。該公司於 2013 年 12 月推出了首款 HBM 晶片。

由於人工智慧熱潮推動的需求，SK 海力士已經售出了今年將生產的所有 HBM 晶片以及預計 2025 年產量的大部分。後者的部分原因，是其 HBM 晶片針對與 Nvidia 的高端 GPU 加速器一起使用進行了優化，而該公司是 HBM 市場的先驅。

有人警告稱，業界對 HBM 的熱情可能會導致 DRAM 供應短缺，除非能夠投入更多生產線，因為這種記憶體的需求預計今年將成長 200%，並在 2025 年再次翻倍。

不過，作為 HBM 的後進者，美光科技和三星不甘人後。

從長遠來看，美光預計其在 HBM 市場的份額將在 2025 年左右與其在整個 DRAM 市場的份額大致相同。有趣的是，美光正在對其 12 高 HBM3E 堆疊進行送樣，並將於 2025 年投入量產，並且它還計畫在未來產品中採用 HBM 4 和 HBM4E。

三星也火力全開。三星公司執行副總裁兼 DRAM 產品技術領域負責人在今年三月曾表示，預計該公司今年的 HBM 晶片產量將比去年增加 2.9 倍。三星同時還公布了 HMB 路線圖，預計 2026 年 HBM 出貨量將達到 2023 年產量的 13.8 倍，到 2028 年 HBM 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。