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三星電子在SEMICON Taiwan 2026國際半導體展上披露新一代高頻寬記憶體（HBM）及下一代記憶體架構的詳細技術路線圖，涵蓋HBM5、zHBM及zNAND-O等多項先進技術，顯示這家南韓記憶體巨頭在AI基礎設施記憶體市場的長期布局。
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近期用於AI加速器的高頻寬記憶體（HBM）等DRAM產品價格持續飆升。業界近日指出，三星電子與SK海力士兩大廠商合計占全球記憶體晶片市場約70%，目前已難以跟上激增的DRAM需求。據南韓國際貿易協會（KITA）周一公布數據，南韓AI晶片用DRAM出口量由5月約6.817億個降至7月的5.9174億個，減少13.2%；同期出口總額卻從114.3億美元增至135.5億美元，成長18.5%。
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美國銀行全球研究最新報告指出，全球儲存晶片現貨市場的供需失衡持續惡化，在AI基礎設施需求強勁、主要晶片廠優先供應大型客戶，以及傳統消費電子旺季到來等多重因素推動下，預計9月DRAM與NAND現貨價格仍有10%至20%的上漲空間。美銀全球研究8月27日發布的報告顯示，根據通路調查，9月現貨市場的供給滿足率 (sufficiency ratio) 已降至不足50%。
全球最大資產管理公司貝萊德 (BlackRock, BLK-US)2026 年第 2 季 13F 持倉報告顯示，截至 6 月 30 日，公司整體持倉規模約 6.73 兆美元，較第 1 季的 5.72 兆美元增加約 18%, 投資組合涵蓋近 5 萬檔個股。
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在人工智慧 (AI) 帶動記憶體需求爆發的背景下，Micron Technology (MU-US)與 SK hynix (SKHY-US)成為市場最受矚目的兩大記憶體股。兩家公司都受惠於 DRAM、NAND 及高頻寬記憶體 (HBM) 價格走高，但華爾街投資人如今面對的問題已從「哪家公司能受惠於 AI 需求」轉向「哪一家股票的估值更值得買進」。
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儲存晶片漲價潮正在逼近「天花板」。伯恩斯坦最新 7 月儲存價格追蹤報告顯示，2026 年第 3 季 DRAM 與 NAND 合約價格漲幅雖仍維持雙位數，但成長速度已較第 2 季明顯放緩，市場開始面臨高價格對終端需求的反噬。伯恩斯坦指出，儲存供應緊張可能延續至 2027 年，但價格進一步上漲的空間正在受到需求疲軟與長期供應協議 (LTA) 價格上限的雙重限制。
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半導體產業正步入一個非凡的成長階段，其主要驅動力是 AI 基礎設施，以及先進邏輯與記憶體元件供應的嚴重瓶頸。根據《麥克林報告》（McClean Report）2026 年 6 月更新版，全球半導體市場預計將在 2026 年成長 98.3%，達到約 1.7 兆美元，並在 2027 年進一步擴張至超過 2.2 兆美元。
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全球記憶體供應危機持續升溫，AI 浪潮帶動資料中心大舉擴建，不僅推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，也排擠傳統 DRAM 與 NAND Flash 產能，使整體市場供需失衡情況進一步惡化。根據外媒引述產業消息指出，三星電子、SK 海力士 (SK Hynix) 與美光 (Micron) 等主要記憶體供應商，已提前售罄 2027 年 DRAM 與 HBM 產能，市場普遍預期，供應緊張局面至少將持續至 2028 年。
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《Benzinga》報導，蘋果 (AAPL-US) 最新公布的 6 月季度財報亮點，包括創紀錄的 iPhone 銷售表現以及 Apple Intelligence 進展。不過，最值得關注發言之一，出現在財報會議問答環節，當執行長庫克（Tim Cook）將記憶體價格飆升形容為一場「百年洪災」，並暗示 DRAM 產業需要更多供應商。
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高盛 (GS-US) 於 7 月 28 日舉辦韓國記憶體產業專家網絡研討會，並於 29 日發布會議紀要。與會專家普遍認為，在 AI 伺服器需求持續帶動下，傳統 DRAM 價格今年下半年仍將維持強勁漲勢，高頻寬記憶體 (HBM) 明年更有大幅調漲、甚至翻倍的可能性。
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TechInsights 發布最新 2026 年第二季 DRAM 市場報告，這份共 129 頁的報告核心主題是 AI 驅動的資料中心建設正在徹底重塑 DRAM 市場的定價、利潤率和供需格局。DRAM 產業正經歷從「週期性大宗商品」向「AI 時代戰略物資」的改革，三大廠商在三年內創造 1.7 萬億美元運營利潤，HBM 從配角變為主角，消費端被擠出產能分配，物理 AI 是下一個未被定價的變量。
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《Benzinga》報導，HBM(高頻寬記憶體) 是為輝達最新 AI 加速器提供動力的專用晶片，未來數年似乎仍將由美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (SK Hynix)(SKHY-US) 和三星電子 (Samsung Electronics) 等現有龍頭企業主導。
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儘管記憶體相關股票近期經歷大幅波動，但記憶體市場仍然持續升溫，多家機構紛紛上調第三季度 DRAM 價格預期。Counterpoint 預計第三季度 DRAM 平均售價（ASP）將環比上漲約 20%；TrendForce 相對保守，預計傳統 DRAM 上漲 13% 至 18%，NAND Flash 上漲 10% 至 15%；摩根士丹利則將 PC DRAM 第三季度漲幅預測由此前的 3% 至 8% 大幅上調至 15% 至 20%。
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人工智慧 (AI) 資料中心建設熱潮持續推升高頻寬記憶體 (HBM) 需求，全球三大記憶體廠三星電子、SK 海力士 (SKHY-US) 與美光 (MU-US) 正加速將產能轉向 HBM 生產，使消費性電子產品使用的傳統 DRAM 供應持續吃緊，帶動 PC 記憶體價格大幅上漲。
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近期全球 AI 概念股與半導體股大幅回檔，韓國 KOSPI 指數因儲存晶片股重挫，自近期高點下跌約 25%，費城半導體指數 (SOX) 也回落約 20%。個股方面，三星電子、SK 海力士，以及美光 (MU-US) 等內存龍頭，連同多檔 AI 相關企業股價，自高點普遍修正 20% 至 50%。
科技
根據南韓 Meritz Securities 最新發布的研報顯示，記憶體市場正迎來結構性劇變。以沙烏地阿拉伯為首的中東主權 AI 投資主體已正式進入市場，開始與三星電子及 SK 海力士等南韓記憶體巨頭，就中長期的存儲產品採購計畫展開密集談判。
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作為擴大美國本土晶片製造投資計劃的一部分，美光科技 (MU-US) 入股了總部位於台灣的矽晶片製造領軍者環球晶 (6488-TW)，為其位於美國德州謝爾曼的大型晶圓製造設施提供關鍵金融層面支持。華爾街知名投資機構 Wedbush Securities 認為，晶片產能擴張所需的核心原材料——矽晶片的供給最終可能成爲 AI 算力產業鏈乃至全球科技行業面臨的另一個「關鍵 AI 算力硬件」瓶頸。
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瑞銀集團 (UBS) 最新發布 7 月《記憶體晶片月度報告》指出，全球記憶體晶片市場剛創下歷史最佳單月表現，單月銷售額達 746 億美元，月增 31.7%，刷新歷史紀錄。隨著人工智慧 (AI) 帶動高效能運算與資料中心需求快速攀升，以及長期供貨協議 (LTA) 持續簽訂，瑞銀認為記憶體產業景氣循環正持續升溫，全球結構性供應不足最快也要到 2028 年中才可能緩解。
A股
中國 DRAM 記憶體龍頭長鑫科技正式敲定科創板首次公開發行 (IPO) 申購時程，將於 7 月 16 日開放申購。由於此次擬募資 295 億元人民幣，發行規模約 66.88 億股，躋身科創板史上最大 IPO 之一，加上市場預估網路中籤率可望達一般科創板新股約 10 倍，消息激勵 A 股半導體族群全面走強，記憶體、矽晶圓及半導體設備股同步大漲。
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「即使安裝 100 萬台 NVIDIA GPU，實際工作時間也只有 10%，」被稱為 HBM 之父的韓國科學技術院 (KAIST) 教授金正浩在最近一次採訪中說道。其餘 90% 時間，GPU 都在等待記憶體中的數據到來，基本上是在閒置。原因很簡單。