世界先進0.35微米650 V氮化鎵製程 正式量產

世界先進0.35微米650 V氮化鎵製程 正式量產。圖為世界先進董事長方略。(鉅亨網資料照)
世界先進0.35微米650 V氮化鎵製程 正式量產。圖為世界先進董事長方略。(鉅亨網資料照)

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 今 (22) 日宣布,八吋 0.35 微米 650 V 的新基底高電壓氮化鎵製程 (GaN-on-QST),已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,同時已和海內外 IDM 廠及 IC 設計公司展開合作。

世界先進 2018 年以 Qromis 基板技術 (簡稱 QST TM) 進行八吋 QST 基板的 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程開發,今年第一季開發完成,第四季成功量產,為特殊積體電路製造首家量產此技術的公司。

世界先進指出,QST 基板相較於以矽作為基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數,在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲破片,更有利於實現量產。

世界先進 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程,能與既有八吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用,以達最佳生產效率及良率。根據客戶端系統驗證結果,採世界先進氮化鎵晶圓的快充產品,65W 以上產品系統效率已達世界領先水準。

世界先進 0.35 微米 650 V GaN-on-QST 製程除 650 V 元件選擇外,也提供內建靜電保護元件;針對更高電壓 (超過 1000 V) 的擴充性,也已與部分客戶展開合作。
 


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