GaN
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世界斥24.8億元取得漢磊13%股權 雙方將合作第三代半導體
世界先進 (5347-TW) 今 (10) 日宣布斥資以每股 49.6 元、合計 24.8 億元,認購漢磊(3707-TW)5000 萬股私募普通股,總計將取得漢磊 13% 股權,藉此達成策略合作,共同推動化合物半導體碳化矽(SiC)8 吋晶圓技術研發與生產製造;以漢磊今日收盤價 61.9 元推算,折價約 2 成。
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英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟 再向ITC提起申訴要求索賠
英飛凌 (IFNNY-US) 宣布,於 7 月 23 日在美國加州北區地方法院,對英諾賽科 (珠海) 科技有限公司、英諾賽科美國子公司及其附屬公司,提起追加訴訟,指控英諾賽科侵犯公司擁有的另外三項氮化鎵 (GaN) 技術專利。也同步向美國國際貿易委員會 (USITC) 提起申訴,當中就包括此次訴訟涉及的四項專利要求法律索賠。
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安格強攻電源有成 打進AI PC顯示卡
神盾 (6462-TW) 旗下 IC 設計業者安格 (6684-TW) 今年初宣布入股 GaN 電源解決方案業者強弦,過去共同耕耘的案件即將在下半年量產,雙方也進一步合作,切入 AI PC,供應給美系大廠外接顯示卡的電源方案,有助下半年業績大幅跳升。
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台亞落實專業分工 擬分割8吋氮化鎵事業
台亞 (2340-TW) 今 (11) 日發布重訊指出,為了落實專業分工,並提升營運績效及市場競爭力,董事會決議將 8 吋的氮化鎵 (GaN) 事業群的相關營業,包括資產與營業額,分割給台亞 100% 持股的子公司冠亞,並由冠亞發行新股給台亞作為對價,暫定 8 月 30 日為分割基準日。
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微矽電子掛牌上市 強漲38%大展蜜月行情
微矽電子 (8162-TW) 今 (7) 日以每股 35 元掛牌上市,最高衝上 48.5 元,漲幅達 38% 左右,董事長張秉堂表示,隨著節能趨勢成形,各家積極投入氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 等第三代半導體解決方案,為滿足客戶需求,也啟動擴產計畫,新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台,貢獻下半年營運。
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台達旗下碇基推雙面散熱GaN電晶體新品 通過DMTBF測試驗證
台達電 (2308-TW) 旗下碇基半導體 (Ancora Semiconductor Inc.) 今 (27) 日宣布,最新雙面散熱 GaN 氮化鎵場效應電晶體,獨家通過 DMTBF 測試驗證,系列產品也已應用於台達電和威剛 (3260-TW) 合作開發的鈦金級電源供應器 XPG FUSION 1600W 上。
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微矽電子競拍底價32.41元 3/7登錄創新板
微矽電子 (8162-TW) 即將在 3 月 7 日掛牌登錄創新板,配合上市前公開承銷,將自明日起對外競價拍賣 3436 張,競拍底價 32.41 元,競拍時間自 20 日至 22 日,預計 2 月 26 日開標。展望今年,董事長張秉堂表示,半導體歷經一年多的庫存去化,各家業者的庫存已回到健康水位,且為因應節能趨勢,皆積極投入 GaN/SiC 解決方案,看好隨著市場供給逐步增加,公司營運也將重返成長軌道。
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微矽電子啖SiC/GaN測試商機 新產能下半年開出
微矽電子 (8162-TW) 今 (22) 日舉辦上市前業績發表會,董事長張秉堂表示,隨著節能趨勢成形,各家積極投入 GaN/SiC 解決方案,公司為滿足客戶需求,也啟動擴產計畫,預計今年第二季無塵室就會完工並進駐機台,貢獻下半年營運。微矽電子資本額為 6.466 億元,員工數 560 人,主要專注在功率元件與電源管理 IC 領域,提供測試、薄化、封裝一站式整合服務,依營收比重來看,半導體測試佔 72%、晶圓薄化 18% 與半導體封裝 10%。
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〈神盾科技日〉安格新增GaN電源產品線 扮聯盟供電要角
神盾 (6462-TW) 今 (9) 日舉辦科技日 (Egis Alliance Techday),聯盟成員安格 (6684-TW) 總經理藍世旻表示,隨著 AI PC 與 AI 伺服器耗電量大幅增加,電源管理扮演的角色越趨吃重,安格也正式跨足電源領域,預計首季就可以量產,看好未來在系統上的產值將翻倍,也成為聯盟中供電的要角。
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AI時代太耗電,氮化鎵為減少功率損耗的最佳解決方案,台積電、環球晶、台亞相對大盤強勢
〈AI 蓬勃發展 資料中心用電量驚人〉根據彭博智庫的預測,生成式 AI 市場將以 42% 的年增率高速成長,因為科技巨頭如亞馬遜 (AMZN-US)、谷歌 (GOOG-US)、微軟 (MSFT-US) 皆大舉投資生成式 AI 的研發創新,而當前資料中心所採用的電力轉換及分配技術,難以滿足雲端計算及機器學習的需求,因此正急迫地尋找創新電力解決方案,據麥肯錫的預測,未來五年美國地區的資料中心將新增 39GW 的用電量,相當於 3200 萬家庭一年的用電量。