〈三星先進製程報捷〉與英特爾搶先揮軍2奈米以下先進製程 劍指台積電龍頭寶座

三星與英特爾搶先揮軍2奈米以下先進製程,劍指台積電龍頭地位。(圖:AFP)
三星與英特爾搶先揮軍2奈米以下先進製程,劍指台積電龍頭地位。(圖:AFP)

三星電子旗下晶圓代工部門宣布將於 2027 年量產 1.4 奈米晶片,而英特爾 (INTC-US) 也透露 Intel 18A(相當於 1.8 奈米) 測試晶片今年底前將試產。相較台積電 (2330-TW)(TSM-US) 先進製程技術藍圖目前只揭露到 2 奈米,三星、英特爾顯得野心勃勃,先進製程爭霸戰已瞄準 2 奈米以下,劍指台積電龍頭地位。

三星此次提出更積極的 5 年計畫,目標 2027 年晶圓代工事業營收要較 2021 年水準成長 2 倍,為達到這項目標,必須先提升先進製程技術。

在先進製程技術藍圖上,三星規劃 2024 年啟動第三代 3 奈米製程量產,2025 年量產先進的 2 奈米晶片,並於 2027 年量產 1.4 奈米。儘管當前全球經濟遭遇逆風,仍計劃 5 年後將先進晶片產能增加 2 倍以上,以滿足強勁需求。

英特爾則在日前 2022 Intel Innovation 大會上,揭露先進製程發展新進度,Intel 18A 測試晶片正設計中,今年底前將試產。執行長基辛格並說,先進製程進度順利,甚至超乎預期,再重申將在 4 年內推出 5 個先進製程世代。

就目前英特爾釋出的計劃來看,今年下半年將量產 Intel 4,明年 Intel 3,2024 年初 Intel 20A(相當於 2 奈米),並於同年量產 Intel 18A 製程。

台積電則是今年下半年量產 3 奈米,N3E 製程將於 3 奈米量產一年後推出,2 奈米於 2025 年問世,且有信心將是密度最小、效能最好的技術。

雖然三星已搶先在今年 6 月底,宣佈成為全球首家量產 3 奈米製程的半導體廠,但外界對其良率、客戶及訂單情況始終存疑。業界人士認為,三星 3 奈米之所以未能吸引客戶青睞,原因之一在於採用全新的 GAAFET 架構,實際性能尚未得到大規模應用驗證,客戶對其良率也缺乏足夠信任。

反觀台積電,就目前已確保的大客戶蘋果、英特爾、聯發科 (2454-TW) 與輝達 (NVDA-US) 訂單來看,雖然量產時間較三星晚 2 個月,但市場仍預期,台積電在 3 奈米製程上的市占率將持續領先三星。


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