GAA架構時代來臨 應材推新設備組合

隨著台積電 (2330-TW)(TSM-US)、三星陸續在 2 奈米、3 奈米導入 GAA 架構，美商應用材料 (ATMT-US) 今 (25) 日也宣布，除了協助客戶運用 EUV 持續進行 2D 微縮外，也展示次世代 3D 閘極全環電晶體 (GAA) 製造技術組合。

應材表示，晶片製造商正試圖透過兩個相互搭配的途徑，增加未來數年的電晶體密度，一種是依循傳統摩爾定律的 2D 微縮技術，透過 EUV 微影系統與材料工程以縮小線寬，另一種則使用設計技術最佳化 (DTCO) 與 3D 技術，布局最佳化邏輯單元去增加密度，且不需要改變微影間距。

以 3D 技術來看，應材指出，3D 技術需採用晶背電源，分配網路與閘極全環 (GAA) 電晶體，隨著傳統 2D 微縮技術逐漸式微，預計此技術將有效提升邏輯單元密度的比率，進一步協助晶圓廠改善次世代邏輯晶片的功率、效能、單位面積、成本與上市時間 (PPACt)。

應材半導體資深副總裁暨半導體產品事業群總經理帕布 ‧ 若傑 (Prabu Raja) 強調，公司策略是成為 PPACt 推動公司，已備妥為 GAA 製造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及兩種新整合性材料解決方案，以產生合適的 GAA 閘極氧化層與金屬閘極。