劍指台積電!三星宣布2025年投入2奈米量產

劍指台積電!三星宣布2025年投入2奈米量產 (圖片:AFP)
劍指台積電!三星宣布2025年投入2奈米量產 (圖片:AFP)

據南韓《中央日報》7 日報導,三星電子 (005930-KR) 的晶圓代工業務,再度確認將導入新一代的閘極全環 (Gate All Around,GAA) 電晶體架構,搶在台積電 (2330-TW) 之前宣布於 2025 年投入 2 奈米製程的晶片量產。晶圓代工的全球版圖很可能因而改變。

三星 7 日於線上舉行的「2021 三星晶圓代工論壇」(Samsung Foundry Forum 2021) 當中作出上述表示。

這次論壇是以「Adding One More Dimension」來作為討論主題,三星過去曾在 2020 上半年宣布該公司要在 GAA 的基礎上導入 3 奈米製程。這回更提到要基於 GAA 基礎,在 2023 年時要導入第二代的 3 奈米製程,並於 2025 年導入 2 奈米製程。而這回也是三星首度表明 2 奈米的製程規劃。

GAA 技術可讓晶片中的電晶體更小、更快,也更省電。而截至目前為止,FinFET(鰭式場效電晶體) 是當前最新的電晶體技術;以三星為例,該公司於 2012 年時,在 14 奈米製程導入該項技術。

不過 FinFET 在來到 7 奈米、5 奈米、4 奈米等細微製程時就接連遇上瓶頸,該構造在 4 奈米以下的製程當中,已無法再降低作業電壓,而解決辦法就是 GAA 技術。

三星在 GAA 技術研發上,進一步發展出獨自的「MBC FET」(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技術。該公司表示採用 MBC FET 構造的 3 奈米製程,比起以往 FinFET 技術的 5 奈米製程,在性能上提升 30%、電力消耗減少 50%、面積縮小 35%。

另外三星也在這次論壇公布 17 奈米的 FinFET 新製程。依照三星相關人士的說法,新製程和過去相比,在性能上提升 39%、電力效率提升 49%、面積縮小 43%。

在這次論壇舉辦之前,有大約 500 家無晶圓廠的客戶、夥伴,超過 2000 人報名參加。


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