三星3奈米GAA達關鍵里程碑！

三星電子宣布，3 奈米 GAA 成功設計定案 (Tapeout)，意味著離量產又邁出了一步。

新思科技 (Synopsys) 宣布，複雜的多系統晶片系統已成功設計定案 (Tapeout)，加速其為三星 3 奈米 GAA 工藝技術的認證。

Tapeout 為新思科技和三星合作完成，雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程，為 3 奈米 GAA 技術的關鍵里程碑，意味著距離量產又近了一步。

三星電子代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示：「三星代工是推動下一階段行業創新的核心，我們持續基於工藝製程技術進展，以滿足專業和廣泛市場應用的需求… 最新的、先進的 3 奈米 GAA 工藝受惠於與新思科技的廣泛合作，以及 Fusion Design Platform 的加速準備以實現 3 奈米工藝的承諾，證明關鍵聯盟的重要性和優勢。」

三星的 3 奈米製程採用全新 GAA (環繞閘極) 架構，使其能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造，改進了靜電特性，使其更小、更快，並降低功耗。

三星以 1160 億美元投資旗下晶圓代工業務後，去年底三星預計，3 奈米晶片將於 2022 年正式量產，以趕上晶圓代工龍頭台積電進度，搶食蘋果、超微等先進製程代工大單。

台積電此前稱，採用 FinFET  架構的 3 奈米製程按計畫於 2022 下半年正式量產，目前仍領先三星。

週二 (29 日) 美股早盤截稿前，台北時間週二晚間 11 時 58 分許， 新思科技 (SNPS-US) 微漲 0.040%，暫報每股 274.14 美元。台積電 ADR (TSM-US) 微漲 0.03%，暫報每股 119.64 美元。