〈台積股東報告書〉首度提及2奈米進度 去年已啟動製程研發與探索性研究

台積電去年已領先半導體產業進行 2 奈米製程技術研發。(圖:AFP)
台積電去年已領先半導體產業進行 2 奈米製程技術研發。(圖:AFP)

晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 今 (21) 日上傳股東會年報,年報中首度提到 2 奈米製程技術進展,去年領先半導體產業進行 2 奈米製程技術研發,針對 2 奈米以下技術進行探索性研究;至於 EUV 專案,去年也取得持續性進展,可加快先進技術學習速度與製程開發,將逐步邁向全面生產製造就緒。

台積電表示,每 2 年半導體運算能力增加 1 倍的摩爾定律,技術挑戰日益困難,研發組織努力讓台積電能夠提供客戶率先上市、且先進的技術和設計解決方案,幫助客戶取得產品成功。

去年台積電隨著 7 奈米強效版技術量產,及 5 奈米技術成功試產,台積電研發組織持續推動技術創新,以維持業界的領導地位。台積電表示,當公司採用三維電晶體第六代技術平台開發 3 奈米技術時,也已開始開發領先半導體業界的 2 奈米技術,並針對 2 奈米以下的技術進行探索性研究。

5 奈米方面,台積電表示,雖然半導體產業逼近矽晶物理極限,5 奈米製程仍遵循摩爾定律,顯著提高晶片密度,在相同的功耗下,提供更好效能,或在相同效能下,提供更低功耗。目前靜態隨機存取 (SRAM) 記憶體及邏輯電路良率均符合預期,已達成去年進入試產的目標。

相較 5 奈米製程技術,台積電 3 奈米製程技術大幅提升晶片密度及降低功耗,並維持相同晶片效能,今年研發著重於基礎製程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善,及可靠性評估,將持續進行 3 奈米製程技術全面開發。

微影技術方面,台積電去年研發重點在 5 奈米技術轉移、3 奈米技術開發與 2 奈米以下技術開發的先期準備。5 奈米技術已順利移轉,研發單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產問題。

針對 3 奈米技術開發,極紫外光 (EUV) 微影技術展現優異光學能力,與符合預期的晶片良率,研發單位正致力於極紫外光技術,以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差,並降低整體成本。台積電表示,今年在 2 奈米及更先進製程上,將著重於改善極紫外光技術的品質與成本。

台積電表示,去年極紫外光專案在光源功率及穩定度上,有持續性進展,光源功率穩定與改善,得以加快先進技術學習速度與製程開發。此外,極紫外光光阻製程、光罩保護膜及相關光罩基板,也都展現顯著進步,極紫外光技術正逐步邁向全面生產製造就緒。


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