〈觀察〉5G應用助攻 記憶體明年上半年重回上升循環

明年在5G、人工智慧應用推升下,對DRAM與NAND Flash需求同步增溫。(圖:AFP)
明年在5G、人工智慧應用推升下,對DRAM與NAND Flash需求同步增溫。(圖:AFP)

歷經近一年多景氣循環,DRAM、NAND Flash 原廠逐步去化庫存,市場朝供需平衡邁進,價格走勢趨穩,明年在 5G、人工智慧應用推升下,有助 DRAM 與 NAND Flash 需求增溫,記憶體市況料將走出近 1 年的景氣修正期,最快明年上半年,產業就可重回上升循環。

DRAM 去年第 4 季起市況反轉,今年第一、二季價格持續走跌,第 3 季受惠旺季需求帶動,市場拉貨情況優於業者預期,加上供給端庫存有所改善,DRAM 價格雖仍續跌,但跌價情況已趨緩。

南亞科 (2408-TW) 總經理李培瑛並認為,第 4 季 DRAM 供需平穩,價格將持平或小幅上漲,位元出貨量則有機會持平上季、或小幅減少。從需求來看,雲端伺服器需求逐漸增加,手機新機搭載量也成長,PC 出貨量下半年估優於上半年,智慧音箱等消費型電子產品,需求則持穩。

明年全球經濟景氣雖仍不穩定,但 DRAM 廠庫存已去化至健康水位,加上大廠持續調節庫存,明年資本支出也相對保守,有機會帶動價格反彈,李培瑛預估,最快明年第 1 季,就可望出現價格反彈力道,但確切的時間點,仍得視大廠庫存去化情形。

南亞科董事長吳嘉昭甚至樂觀認為,明年第 2 季起,DRAM 市場就會供需平衡,且若市場未有大量新產能開出,下半年 DRAM 市況可望再度供不應求。

NAND Flash 去年持續供過於求,跌價情況嚴重,今年首季價格也急挫 3 成,而後並跌破現金成本價,但由於大廠相繼減產,加上東芝 6 月跳電事件後,產能大受衝擊,帶動 NAND 現貨價於 7、8 月反彈翻揚,9 月雖回落,但近期又再次走揚,價格趨穩。

歷經逾一年的低迷市況,群聯 (8299-TW) 董事長潘健成也說,目前主要 NAND Flash 原廠已逐漸去化庫存,加上 5G 技術應用基礎設備開始建置,且車載系統普及率上升、內容創作者等 NAND 儲存新應用興起,對第 4 季樂觀看待。

由於原廠庫存去化有成,加上今年第 3 季旺季需求順利啟動,市場拉貨程度優於預期,明年隨著 5G 時代來臨,在 5G 手機、智慧家庭與自動駕駛等相關應用驅動下,擁有運算能力的終端產品數量將顯著提升,持續推升對記憶體產品的需求,價格也將反彈走揚,記憶體產業近一年來的景氣循環低谷,可望因此告終。


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