〈半導體減設備支出〉今年支出縮減主因為記憶體 明年記憶體產業可望回溫

國際半導體產業協會 (SEMI) 今 (12) 日更新第 2 季全球晶圓廠預測報告，報告中下修對今、明年全球晶圓廠設備支出成長率，其中，主要降幅來自記憶體縮減的資本支出，但在歷經產業景氣調整後，DRAM 市況可望從第 3 季起逐步平穩，NAND Flash 也有機會趨於平衡，帶動記憶體產業資本支出回穩，明年更將強勁復甦逾 4 成。

SEMI 最新公布的全球晶圓廠預測報告中，下修對今、明年全球晶圓廠設備支出成長率，今年預估由原先下滑 14% 進一步擴大至下滑 19%，其中主要下修因素，便是記憶體資本支出縮減幅度較預期更劇烈，SEMI 預期，今年上半年記憶體支出將減少 48%，下半年支出可望回穩，明年則將強勁復甦 45%，惟相關投資仍將遠低於 2017、2018 年水準。

DRAM 產業去年下半年起，歷經產業景氣調整，面臨相當大的跌價壓力，三大 DRAM 供應商紛紛放緩今年新增產能腳步，在產業庫存逐步調節後，今年第 2 季 DRAM 價格雖持續走跌，但需求已開始回溫。

南亞科 (2408-TW)、威剛 (3260-TW) 等業者均認為，第 3 季適逢電子產品應用傳統旺季，在傳統旺季需求帶動下，第 3 季起 DRAM 市況將逐步平穩，並預期下半年表現將優於上半年。至於 DRAM 價格能否止跌，仍得觀察市場需求增加幅度、DRAM 大廠庫存去化程度而定。

NAND Flash 方面，因供過於求難以遏制，加上智慧型手機需求趨緩，使供需失衡情況更加嚴重，去年總體資本支出下調近 10%，但仍無法翻轉供需失衡情形，全年 NAND Flash 價格跌幅約 6 至 7 成，今年首季更因市場庫存水位過高，大廠三星採取降價策略衝擊下，價格跌幅擴大至超過 3 成，美光、SK 海力士也相繼減產 5-10%。

目前市場對 NAND 供需何時趨於平衡、價格落底反彈的時間點，多空看法分歧。有業者看好，供給面有所調節，且價格已跌破現金成本價，加上傳統旺季將至，需求可望增溫，預期下半年市況將趨於平衡。也有業者認為，市場仍處於供過於求狀態，在市場庫存還未去化到合理水位之前，下半年價格還可能持續走跌。

雖然今年記憶體產業支出大幅縮減，不過，SEMI 指出，晶圓代工、微處理器晶片 (micro) 這 2 個產業投資，可望逆勢成長，在先進製程及產能帶動下，今年支出預計將成長 29%，產業前景仍看佳。