跟上三星腳步！美光明年推3D 快閃記憶體

美光科技快閃記憶體

科技媒體《CNET》報導指出，美國記憶體大廠美光科技（Micron）(MU-US)執行長杜爾肯(Mark Durcan)表示，將於2014年第一季度開始生產3D快閃記憶體。而日前，韓國電子龍頭三星(005930-KR)也宣布已經突破目前業界技術限制，將開始量產業界第一款3D垂直快閃記憶體。兩大記憶體廠選在相近時間點推出，較勁意味濃厚。

杜爾肯表示，美光或許能夠更快生產3D快閃記憶體，但是目前具體時間尚未確定。此外，美光科技也尚未表示，新研發的3D快閃記憶體將會應用在哪一類型的終端裝置上，僅表示將會用於高階的電子產品上。杜爾肯指出，3D快閃記憶體和傳統快閃記憶體相比，性能較好，穩定度、耐久性也較優良，而且可以大幅降低成本。這對消費者來說，簡直就是「低價、高性能」的代名詞。

不過，杜爾肯表示，要從傳統快閃記憶體過渡到3D快閃記憶體，將需要一段時間，而業界的接受度也非一蹴可幾。因為工廠需要花費大筆資金購買新機具，且3D快閃記憶體和目前市場上的終端設備介面不一樣，這些都需要時間去適應。杜爾肯預估，最快也要到2015年，3D 快閃記憶體才有可能影響目前市場上快閃記憶體的供應狀況。

就在美光宣布將量產3D 快閃記憶體前幾日，韓國三星也 宣布將開始量產業界首款3D垂直NAND快閃記憶體，簡稱V-NAND。三星宣稱，新的3D晶片技術其穩定性與速度方面是10奈技術的2倍以上，並表示將會廣泛使用於消費性電子產品，可擴大快閃儲存容量至1TB以上。

受到近年智慧型手機、平板電腦銷量迅速攀升，傳統快閃記憶體的需求量也與日俱增。研調機構IHS iSuppli指出，2016年前，全球快閃記憶體市場年度營收將高達億，和今(2013)年的236億相比，可說是大幅成長。