美光
專家觀點
當你還深陷在，記憶體這波超級循環，是否像過去一樣，只是曇花一現的，供給循環這個問題時，明眼人早已發現，AI 已經顛覆，你過去熟悉的一切。PC 跟手機的需求，是造成記憶體過去，劇烈循環的主因，因為消費者市場，趨勢變化很快，產品淘汰也很快，消費者口味變化更快，這造成的結果，只要消費端熄火，又遇到廠商過度擴張，就是記憶體價格崩跌。
美股雷達
根據市調機構 Counterpoint Research 周三 (19 日) 發布的報告指出，輝達 (NVDA-US) 近期決定將人工智慧 (AI) 伺服器改採手機與平板常用的 LPDDR 低功耗記憶體後，恐在供應鏈掀起重大衝擊，並可能使伺服器記憶體價格在 2026 年底前翻倍。
台股新聞
群聯 (8299-TW) 日前迎來創立 25 周年，執行長潘健成於活動現場感謝表示，群聯的成功仰賴全體夥伴努力，並宣布全體員工將獲得新台幣 2.5 萬元特別獎金，以感謝員工多年貢獻，也激勵群聯迎接下一個高峰。群聯日前於苗栗竹南運動公園舉辦「25 週年家庭日」，以「群聯遊戲 PHISON GAME」為主題，邀請近 5 千名員工及眷屬熱情參與，活動內容涵蓋親子體驗、競技遊戲、精彩表演及多元美食，現場氣氛溫馨熱鬧，充分展現企業文化中對家庭與員工的高度重視。
美股雷達
據《CNBC》周一 (17 日) 報導，晶片製造商和分析師警告，記憶體短缺可能在明年衝擊消費電子和汽車產業。業者們優先供應 AI 伺服器所需的高階記憶體，導致消費性電子用的產能遭排擠，部分晶片價格已較 9 月暴漲 60%。中國最大晶圓代工廠中芯國際 (00981-HK) 執行長趙海軍上周五在法說會上透露，客戶因擔心記憶體供應不足，連帶暫緩其他類型晶片的訂單。
美股雷達
《巴隆周刊》和《Marketwatch》週四 (13 日) 報導，隨著記憶體市場持續短缺，DRAM 價格不斷上漲，摩根士丹利 (大摩) 認為這將推高美光的獲利能力。大摩分析師 Joseph Moore 研判，美光科技股價仍有上行空間，將美光目標價從 220 美元大幅調升至 325 美元，維持「增持」評等，理由是市場尚未完全反映記憶體晶片價格飆升帶來的獲利潛力。
ETF
美股昨日由科技股領軍強勢反彈，今 (11) 日主動式海外股票型 ETF 股價皆呈現上漲，又以新兵主動統一全球創新 ETF(00988A-TW) 氣勢最盛，交投持續熱絡，主要受惠輝達及美光二大成分股漲勢。投資專家分析，在 AI 熱度不減的狀況下，投資人可利用 AI 股濃度高的主動式 ETF，布局全球 AI 趨勢所帶來的商機。
全球記憶體晶片市場正以超預期速度從低谷中強勢復甦，三星、SK 海力士、西部數據 (WD)、美光等巨頭最新一季財報集體報喜，不僅獲利利潤雙位數增長，更釋放出記憶體進入新一輪「超級週期」的強烈信號。這場由 AI 需求驅動的產業變革，正重塑全球記憶體產業競爭格局與成長邏輯。
科技
被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。
美股雷達
在最新漲價消息刺激、加上多家投行上調目標價之下，美國記憶體龍頭 SanDisk(SNDK-US) 股價周一 (10 日) 大漲 11.89%，至每股 267.95 美元，盤中一度觸及 270.91 美元歷史新高。近兩個月，該股股價已經翻了 5 倍，主要原因是 AI 熱潮催生 NAND 快閃記憶體需求激增，而同時供應端受限加劇供需失衡。
根據南韓媒體報道，美光科技 (MU-US) 的 HBM4 產品，難以滿足輝達 (NVDA-US) 嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。
美股雷達
《巴隆周刊》報導，美光科技 (MU-US) 週一 (3 日) 表現亮眼，股價攀升約 4.88%，報每股 234.70 美元。受人工智慧需求大幅提升帶動記憶體市場升溫，該公司股價在過去 6 個月已較先前水準翻倍。市場人士指出，美光週一強升與南韓同業 SK 海力士同日股價勁揚約 11% 有關。
歐亞股
摩根士丹利研報指出，受人工智慧（AI）需求驅動，記憶體晶片行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的「超級週期」，到 2027 年全球儲存市場規模有望突破 3,000 億美元，標誌著新一輪產業週期的起點。記憶體晶片歷經近 13 年的週期性波動，每 3 至 4 年呈現一輪週期，目前正處於第四輪。
歐亞股
記憶體龍頭企業三星電子近日宣布，針對 12 層高頻寬記憶體 (HBM3E) 推出 30% 降價策略，意圖透過價格優勢爭奪市占率，此舉直接暴露三星因良率爬坡緩慢導致的競爭被動。三星 12 層 HBM3E 直至上月才通過輝達測試並啟動供貨，今年第 4 季出貨量料將僅有數萬片，顯著落後於 SK 海力士、美光等同業競爭對手。
台股新聞
AI 運算時代全面爆發，資料中心與伺服器需求如野火蔓延，從高頻寬記憶體（HBM）到傳統 DRAM、NAND Flash，全線價格進入十年難得一見的超級循環。〈AI 運算需求爆發，HBM 成為新戰場〉AI 模型日益龐大，對記憶體效能的需求是傳統伺服器的五至六倍，高頻寬記憶體 HBM 因此成為市場焦點，HBM 將多顆 DRAM 垂直堆疊，不僅傳輸速度快、容量大，更是 AI 伺服器不可或缺的元件。
台股新聞
DRAM 大廠美光 (MU-US) 今 (23) 日宣布，192GB SOCAMM2 (Small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加記憶體模組) 已正式送樣給客戶，積極拓展低功耗記憶體在 AI 資料中心內的應用版圖。
美股雷達
《路透》周五 (17 日) 引述兩名消息人士報導，美光科技 (Micron)(MU-US) 計劃停止向中國境內資料中心供應伺服器晶片，此舉標誌著該公司在 2023 年遭北京禁止產品用於中國關鍵基礎設施後，其在中國相關業務復甦失利。美光是首家遭中國鎖定的美國晶片製造商，這項禁令被外界視為中國對華府一連串限制措施的報復行動。
美股雷達
據《路透》報導，美光科技 (MU-US) 已做出戰略性決定，計畫停止向中國數據中心供應伺服器晶片，並退出行動 NAND 快閃記憶體市場。此舉意味著美光在中國的伺服器晶片業務，自 2023 年遭到中國政府禁令後，已變得不可持續。根據報導，美光的退出源於 2023 年中國禁止其產品用於「關鍵基礎設施」的決定，這一禁令被視為對美國限制晶片和人工智慧 (AI) 技術出口的報復。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 周二(14 日) 股價收跌約 3%，主因半導體板塊承壓以及分析師下調評等。投資機構新街研究 (New Street Research) 將美光的評級從「買入」調整至「中性」，但維持目標價在 190 美元不變。該機構指出，儘管高頻寬記憶體需求有機會推動未來數季盈餘超預期，美光目前已處於「高點估值」，潛在的獲利驚喜可能會被估值向下壓縮所抵銷，也就是說未來股價表現可能趨於平淡。
美股雷達
摩根士丹利 (大摩) 週一 (6 日) 將美光 (MU-US) 的股票評級由「持股觀望」(Equalweight) 上調至「優於大盤」(Overweight)，並將目標價由 160 美元上調至 220 美元。該行指出，美光在核心 DRAM 市場的價格動能持續超出預期，顯示記憶體產業正進入新一輪上行周期。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）應用快速普及，全球投資者的目光往往集中在計算晶片巨頭如輝達 (NVDA-US) 身上。然而，專家指出，真正的長期投資機會其實藏在 AI 記憶體硬碟和儲存系統市場，且其中有幾家公司值得關注。隨著 OpenAI 生態系統的擴張，海量數據的儲存需求正悄然改寫整個產業格局。