美光
歐亞股
美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。
隨著 HBM4 正式進入驗證與量產階段，高頻寬記憶體（HBM）市場的動能正在轉向，業界焦點也逐漸回到韓國記憶體大廠身上。市場普遍認為，在新一代 HBM4 世代中，三星電子與 SK 海力士的能見度將明顯提升，反觀美光科技 (MU-US) 恐面臨市占下滑的壓力。
美股雷達
《Marketwatch 報導，因市場擔憂競爭升溫，記憶體晶片大廠美光近期股價走弱，不過德銀 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 帶動的記憶體榮景將推升公司獲利能力，並將目標價上調至 500 美元，代表相較週二收盤價仍有約 33% 上行空間。
據《MarketWatch》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 今年以來一直是美股最火熱的股票之一，但隨著投資人重新評估競爭態勢，該股周一 (9 日) 走勢降溫，下跌 2.8%。拖累美光股價的一項潛在因素是，競爭對手三星電子 (Samsung Electronics) 將於本月底開始量產第六代高頻寬記憶體 HBM4，供應輝達 (Nvidia)(NVDA-US) 即將推出的 Vera Rubin 圖形處理器(GPU)。
美股雷達
根據韓媒 ETNews 週五 (6 日) 引述消息人士報導，三星、SK 海力士與美光等記憶體巨頭，正在推行一種新型合約模式，兩大核心變化是：將合約期限縮短，再來是「結算後定價」(Post-Settlement Price) 模式。全球記憶體市場的遊戲規則正迎來變革過去，DRAM、NAND 這類記憶體產品的合約大多在供貨開始時就把價格談定，之後就算市場行情劇烈波動，通常也只會在季度談判時做小幅調整，變動幅度大多落在正負 10% 左右。
台股新聞
晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (5) 日召開法說會，並公布去年第四季財報，受惠 DRAM 價格上漲與美元升值，單季毛利率轉正，加上認列印度塔塔電子的合作案淨收益 4.9 億元，整體虧損降至 6.54 億元，較前季的虧損 27.28 億元相比大幅收斂，每股虧損 0.16 元。
美股雷達
在人工智慧（AI）熱潮推動下，記憶體市場供需失衡情況持續惡化，帶動相關個股周一（2 日）全面走強。分析師指出，記憶體產業正進入一波「全面爆發的超級循環」。根據《Business Insider》報導，SanDisk (SNDKV-US) 、美光科技 (MU-US) 、希捷科技 (STX-US) 與威騰電子 (WDC-US) 公布的財報，印證了科技情報機構 IDC 所形容的「前所未見的記憶體晶片短缺」。
美股雷達
據《MarketWatch》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 股價因基本面利多而一路狂飆，但從某項技術指標來看，這波漲勢可能正接近硬著陸風險區。這家記憶體晶片製造商的股價近幾個月呈拋物線式上漲，並在 1 月創下 2000 年 2 月以來最大的單月漲幅——那時正是網路泡沫破裂前夕。
台股新聞
近期市場傳出，中國 NAND 原廠長江存儲 (YMTC) 可能將原訂 2027 年才開出的新晶圓廠產能，提前至 2026 年下半年啟動量產，加上三星重啟投資平澤廠，引發市場對 NAND 供需市況將有所變化的擔憂。業界認為，若從供需結構性變化來看，單一廠商的擴產消息，難以實質扭轉 NAND 市場長期供不應求的趨勢。
台股新聞
台股今 (2) 日盤中大跌超過 600 點，尤其隨著美光 (MU-US)、威騰 (WDC-US) 等美國記憶體股走跌，記憶體族群獲利了結賣壓沉重，不到 12 點就超過 10 檔亮燈跌停，包括南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW)、鈺創 (5351-TW)、華東 (8110-TW) 等共 13 檔跌停。
台股新聞
輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳昨日抵台，強調記憶體對 AI 至關重要，同時，美光執行長梅羅塔 (Sanjay Mehrotra) 也組團來台訪問，並拜會總統賴清德，強調台美聯盟合作，在兩大利多激勵下，記憶體族群今 (30) 日再度發威，指標股南亞科 (2408-TW) 股價最高衝上 321 元，市值高達 9947 億元，距離兆元僅一步之遙，挑戰成為台股第 11 家兆元企業。
台股新聞
輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳今 (29) 日來台，針對外界對於台積電要將 40% 產能轉移至美國，他表示，台積電將部分產能設於美國，並不代表要「轉移」既有產能，而是應以「增加整體產能」來思考；未來十年，全球半導體製造將迎來大規模擴張，台積電的全球布局不僅不會削弱台灣，反而將強化整體供應鏈韌性。
科技
《韓聯社》周三引述消息人士報導，SK 海力士已獲得美國科技巨頭輝達超過三分之二的高頻寬記憶體 (HBM) 供應訂單，這些訂單將用於今年生產的 Vera Rubin 平台。消息人士透露，輝達已將用於 Vera Rubin 的 HBM4 需求的約 70% 訂單分配給 SK 海力士，高於市場此前預估的約 50%。
美股雷達
據《MarketWatch》報導，美光 (Micron Technology)(MU-US) 計劃興建一座新的製造廠，未來可望緩解記憶體供給吃緊的問題，但短期內並不會立即增加產能，這樣的節奏安排正好擊中投資人的「甜蜜點」。這家記憶體晶片製造商於周一晚間宣布，將在其新加坡園區內興建一座新的先進晶圓廠，用於生產 NAND 快閃記憶體。
台股新聞
美光 (MU-TW) 今 (27) 日宣布，將在新加坡擴充 NAND 產能，並預計未來十年於新加坡投資 240 億美元，其中，無塵室空間將達 70 萬平方英尺。業界看好，隨著美光加速資本支出，當地廠務工程需求將一路延續至後年，包括亞翔 (6139-TW)、聖暉 *(5536-TW)、聚賢研發 (7631-TW)、和淞 (6826-TW) 都將受惠。
美股雷達
三名知情人士透露，美國記憶體晶片大廠美光科技 (MU-US) 即將宣布在新加坡投資新的記憶體晶片製造產能，藉此擴大產線規模，以因應全球日益嚴峻的記憶體短缺問題。根據《路透》報導，知情人士指出，美光最快將於週二（27 日）對外公布這項投資計畫，其中一人透露，投資重點將鎖定 NAND 快閃記憶體。
美股雷達
三星電子在高頻寬記憶體 (HBM) 領域最新進展，正牽動相關族群股價表現，美光 (MU-US) 股價週一 (26 日) 走弱近 3%。三星自去年 9 月向輝達提供首批 HBM4 樣品後，雙方合作進度持續推進，多家外媒週一報導，三星電子已進入輝達最新一代 HBM4 晶片的最終認證階段。
美股雷達
《CNBC》周一 (26 日) 報導，在人工智慧 (AI) 基礎設施投資持續擴大的帶動下，全球記憶體晶片供需失衡情況恐將比市場原先預期更為持久。半導體產業高層指出，記憶體價格上漲與供給短缺的情況，可能一路延續至 2027 年，顯示這波由 AI 資料中心需求引爆的晶片吃緊局面，短期內難以緩解。
美股雷達
近期，不少晶片設計公司在晶圓代工端頻頻碰壁。多家晶圓廠回饋指出，部分成熟製程的產能已開始「不好投片」，甚至出現排隊與配額限制的情況。然而，這並非市場熟悉的「缺晶片」簡單重演，而是一場由人工智慧（AI）浪潮引發、結構更為複雜的產能連鎖反應。AI 不僅大量吸納先進製程與先進封裝資源，其外溢效應也正沿著電源與功率鏈條，將壓力一路傳導至成熟節點。
美股雷達
據《MarketWatch》報導，隨著人工智慧 (AI) 基礎建設加速擴張，記憶體晶片已成為關鍵瓶頸。分析師指出，美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 至少在未來兩年，仍可持續受惠於價格高漲。AI 晶片製造商開始以每年一代的節奏推出先進晶片，使記憶體產品供應更加吃緊。