美光還沒漲完？花旗喊目標價1200美元 DRAM超級周期才剛開始

花旗銀行分析師 Atif Malik 6 月 17 日發布最新研報，將美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 目標價從 840 美元大幅上調至 1,200 美元，維持買入評級。1,200 美元的新目標價對應公司 2027 年預期每股收益 10 倍估值，測算潛在總回報約 17.6%。

此次上調的背景是：美光股價年初至今已上漲約 258%，12 個月累計漲幅達 748%。花旗上調目標價的同時，德意志銀行也在同日將目標價從 1,000 美元上調至 1,500 美元。美光將於 6 月 24 日發布 2026 財年第三季財報。

DRAM 價格預測

花旗預計 2026 年 DRAM 平均售價（ASP）全年上漲 200%，主要受「加速的 Token 增長和供給受限」驅動的資料中心需求支撐。

按季看，環比漲幅依次為：

• 2026 年第二季度：上漲 37%
• 2026 年第三季度：上漲 13%
• 2026 年第四季度：上漲 11%

數據驗證方面，DRAM 現貨價格自 1 月初以來已上漲 52%，自 4 月初以來上漲 22%，目前現貨價格較合約價格高出 21%，預示合約價格「應繼續走高」。

NAND 價格預測

花旗預計 2026 年 NAND 平均售價全年上漲 186%，分季度環比漲幅依次為 45%（Q2）、17%（Q3）、6%（Q4）。

花旗同時指出，DRAM 供應趨緊可能推動基於 NAND 的補充記憶體技術（如 KV 快取等）更廣泛地採用，為 NAND 市場提供額外的需求支撐。

供需格局分析

花旗預計 2026 年全球 DRAM 將出現 5% 的供給缺口，本輪產業上行週期有望延續至 2027 年，HBM 產品明年價格將繼續攀升。

花旗認為，今年記憶體漲價主要來自常規 DRAM 的供需失衡，而非 HBM——例如美光 2026 年 DRAM 位元產能增速預計僅為 42%。常規 DRAM 的供給剛性疊加 AI 資料中心需求的持續爆發，構成了漲價的核心驅動力。

獲利預測與估值

花旗同步大幅上調獲利預測：

花旗對 2027 財年 EPS 的預測為 114.73 美元，較市場共識的 110.32 美元高出 4%，上調主因是對產品均價，尤其是 HBM 價格前景的樂觀預期。

估值方面，花旗給予美光 2027 年預期 EPS 的 10 倍估值，並指出這一倍數「低於最近三年 17 倍的峰值」，以反映當前「elevated gross margins（異常高的毛利率）」和近期關於 DRAM 因供給受限而在 Vera Rubin 中降規格（de-specing）的報導。

花旗 6 月 17 日報告的上調邏輯可歸納為以下四個關鍵支點：

價格超預期是直接催化劑

花旗上調目標價的首要依據是「年初以來記憶體晶片價格走勢超市場預期」。DRAM 現貨價格年內已上漲 52%，4 月以來上漲 22%，現貨較合約溢價 21%，這些數據為合約價繼續上調提供了充分證據。

常規 DRAM 供需失衡是漲價主力

花旗特別指出，今年記憶體漲價主要來自常規 DRAM 而非 HBM。這一判斷具有重要含義——市場可能將本輪漲價過多歸因於 HBM 的 AI 需求，而忽視了常規 DRAM 領域同樣嚴重的供需失衡。美光 2026 年 DRAM 位元產能增速僅 42%，遠不能滿足需求增長。

「Vera Rubin 降規格」信號強化漲價預期

花旗在報告中提及「近期關於 DRAM 因供給受限而在 Vera Rubin 中降規格（de-specing）的報導」。Vera Rubin 是輝達 (NVDA-US) 的下一代 AI 晶片平台，在該平台因 DRAM 供應不足而被迫降低記憶體規格，表明 DRAM 短缺已從「預期」變為「現實約束」，進一步強化了花旗對價格持續上漲的信心。

估值倍數上調反映盈利品質提升

花旗雖將目標價從 840 美元上調至 1200 美元，但估值倍數僅從約 8 倍微調至 10 倍，仍遠低於 17 倍的三年峰值。這意味著目標價的上調主要來自 EPS 預測的上調（+10%），而非估值擴張，反映花旗認為美光的盈利增長是「實的」，而非靠市場情緒撐起來的。

花旗 6 月 17 日報告的核心結論是：DRAM 上行週期遠未結束，且漲價主力正從 HBM 向常規 DRAM 擴散。2026 年 DRAM 均價上漲 200%、全球 5% 供給缺口、2027 年 HBM 價格繼續攀升——這三重判斷構成了花旗看多美光的核心骨架。

花旗將 2027 年 EPS 預測上調至 114.73 美元（較此前 + 10%），目標價上調至 1200 美元（對應 10 倍 PE），維持「買入」評級。

投資分析

若 DRAM／NAND 價格按花旗預測路徑演繹，美光 2027 年 EPS 達 114.73 美元，以當前股價（約 1100 美元）計算，對應 2027 年 PE 約 9.6 倍——遠低於 17 倍的週期峰值。考慮到上行週期中盈利通常存在進一步上修空間，當前估值在超級週期框架下仍具吸引力。

花旗測算的 1200 美元目標價對應的潛在總回報約 17.6%，且這一目標價建立在「低於歷史峰值」的估值倍數之上，意味著若市場情緒進一步升溫，上行空間可能更大。

第一，股價已充分反映樂觀預期。美光年初至今上漲約 258%，12 個月漲幅達 748%。如此巨大的漲幅意味著大量樂觀預期已被市場定價，任何不及預期的財報或指引都可能觸發劇烈回調。

第二，「Vera Rubin 降規格」是一把雙刃劍。DRAM 供應不足導致 AI 晶片降規格，固然證明供需緊張、支撐漲價邏輯，但也暗示過高的記憶體價格可能迫使下游客戶調整設計方案，長期看可能抑制需求或加速替代技術（如 NAND-based 方案）的採用。

第三，週期高點的均值回歸壓力。花旗雖看好 2027 年，但未對 2028 年做出明確預測。歷史經驗表明，半導體週期的上行階段結束後往往伴隨劇烈的下行調整。當前常規 DRAM 漲價主要靠「供給剛性」而非「需求爆發」驅動，一旦主要廠商打破供給自律、大幅擴產，供需格局可能迅速逆轉。

第四，行業共識高度一致的風險。TipRanks 數據顯示，31 位華爾街分析師中 28 位給予「買入」評級、3 位「持有」、0 位「賣出」，12 個月共識目標價 1048.57 美元。高度一致的看多情緒通常意味著邊際買盤力量在減弱。

關鍵觀察點

2026 年 6 月 24 日： 美光 Q3 FY26 財報發布。花旗預計 Q3 營收達 35.1 億美元（高於公司自身指引 33.5 億），實際數據與管理層對 Q4 的指引將是驗證花旗預測的關鍵。

DRAM 合約價走勢： 當前現貨較合約溢價 21%，後續合約價上調幅度將直接決定盈利兌現節奏。

主要廠商產能擴張動態： 若三星、SK 海力士等競爭對手打破供給自律、大幅擴產，將是週期拐點的關鍵信號。