SK海力士追擊三星NAND地位 今年市占率可望突破20%

受益於在 HBM 上的成功，SK 海力士第三季半導體業務的營業利潤率超越三星，如今三星另一個固有陣地 NAND，也面臨著被 SK 海力士超車的衝擊。

三星一直是 NAND 市場的領頭羊，但最新數據指出，截止 2024 年第二季，三星在 NAND 市場的市佔率為 36.9%，SK 海力​​士 (包括 SK Hynix 和 Solidigm) 則從 2020 年的 11.7% 增長到 2024 年第二季的 22.5%。

報告進一步指出，如果這一趨勢持續下去，單估算 SK 海力士的市佔率預計將在 2024 年首次超過 20%，拉近與三星的差距。

SK 海力士最近發布新的 1 兆位元 4D NAND 晶片，創下了新紀錄。不到一年前它還率先推出了 238 層 NAND。與先前的發布一樣，321 層的突破意義重大，因為它可以顯著提高消費者和企業 SSD 的儲存密度。

韓媒 Chosun Biz 指出，雖然 SK 海力士的 NAND 市占率方面仍落後於三星，但它在垂直堆疊單元技術方面處於領先地位，這表明 NAND 市場可能會發生重大變化。

面對 SK 海力士的追擊，三星也有所反擊，根據消息報導，三星目前正在開發 286 層的第九代 3D NAND ，並正在開發 400 層技術。這是透過 2025 年 IEEE 國際固態電路會議議程發布透露。

在 400 層的 NAND 上，預計將採用三層堆疊架構，而不是目前的雙層堆疊設計。這項進步充分利用了三星在層數方面的領先優勢，因為它是唯一一家能夠在單一堆疊中生產超過 160 層的公司，而競爭對手只能達到 120-130 層。如果三星選擇三層堆疊方法，該公司可以實現驚人的 480 層。

其中，「WF-Bonding」則是三星實現這個層數的關鍵技術。據介紹，這是一項名為晶圓到晶圓鍵合的技術，其中兩個單獨的 NAND 晶圓（其上已製造單元和 / 或電路）相互連接。這種鍵結使每個晶圓的製造流程在可擴展性、性能和產量方面得到最佳化。

三星表示，這種方法將實現具有大儲存容量和出色的硬碟效能的「超高」NAND 堆疊，非常適合 AI 資料中心的超高容量固態硬碟 (SSD)。據該公司稱，這款晶片被稱為鍵合垂直 NANDFlash，或 BV NAND，是「人工智慧的夢幻 NAND」。