路透：AI晶片戰落後 三星擬改採MUF技術

路透引述五位知情人士說法稱，三星電子 (005930-KR) 計畫使用由競爭對手 SK 海力士主導的晶片技術，企圖在生產人工智慧 (AI) 高階晶片的競爭行列中迎頭趕上。

隨著生成式 AI 的應用日益普及，對高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的需求持續成長。不過，與同業 SK 海力士 (000660-KR) 以及美光 (MU-US) 不同的是，三星一直沒有和 AI 晶片領導者輝達 (NVDA-US) 達成任何新的 HBM 供應交易。

分析師和產業觀察人士認為，三星之所以在競爭中落後，其中一項原因是該公司堅持使用名為「非導電性膠膜」(Non-Conductive Film, NCF) 的晶片製程技術，這會導致一些生產問題。相較之下，SK 海力士率先導入「大規模回流模塑底部填充」(Mass Reflow Molded Underfill, MR-MUF) 技術，來解決 NCF 的弱點。

然而，三位消息人士表示，三星近期下單採購處理 MUF 技術的晶片設備。其中一位消息人士說：「三星必須採取行動來提高 HBM 產量，採用 MUF 技術對三星來說有點像拋下自尊的感覺，因為它最終還是依循 SK 海力士率先採用的技術。」

幾位分析師表示，三星的 HBM3 晶片生產良率約為 10%-20%，SK 海力士的 HBM3 生產良率約為 60%-70%。後者領先其他公司成功轉向 MUF 技術，成為第一家向輝達供應 HBM3 晶片的供應商。

一位消息人士說，三星還在和包含長瀨產業 (Nagase) 在內等材料供應商洽談採購 MUF 材料，且使用 MUF 技術的高階晶片，最快要到明年才能實現量產，因為三星必須先進行測試。

三位消息人士還稱，三星計劃在最新的 HBM 晶片中同時使用 NCF 和 MUF 技術。

三星表示，其內部開發的 NCF 技術是 HBM 產品的「最佳解決方案」，將用於新的 HBM3E 晶片中。三星透過聲明表示，公司正在按計畫推進 HBM3E 的產品業務。

針對上述報導，輝達和長瀨拒絕置評。

三星計劃使用 MUF 技術的決定，突顯出其在 AI 晶片競爭中面臨著愈來愈大的壓力。研調機構 TrendForce 數據顯示，受惠於 AI 相關需求，今年 HBM 晶片市場規模將翻倍至近 90 億美元。

KB Securities 分析師 Jeff Kim 表示，SK 海力士今年在 HBM3 與更先進的 HBM 產品的市占率預估將超過 80%。

此外，美光也在上月加入 HBM 晶片競賽，宣布其最新的 HBM3E 晶片將獲輝達採用。知情人士透露，三星的 HBM3 系列晶片目前尚未取得輝達的供貨資格。

三星在 AI 晶片競賽中的落後表現也引起投資人注意。該股今年迄今已下跌 7%，落後於 SK 海力士和美光，後兩者分別上漲 17% 和 14%。