陸行之:英特爾製程正名拚彎道超車 台積電不能輕敵

陸行之:英特爾製程正名拚彎道超車 台積電不能輕敵。(圖:AFP)
陸行之:英特爾製程正名拚彎道超車 台積電不能輕敵。(圖:AFP)

英特爾 (INTC-US) 公布最新四年計畫,製程技術放棄過去堅持節點名稱,回歸產業正軌,知名半導體分析師陸行之指出,一般人會認為,英特爾製程工藝打不過、追不上台積電 (2330-TW),用改名比較快,但他認為,台積電不能輕敵,雖然是宣戰,但也算是正名及縮短差距的彎道加速超車新策略。

陸行之表示,英特爾本來 2022 年 10 奈米的 Alder Lake/Sapphire Rapids 及 2023 年 7 奈米的 Meteor Lake/Granite Rapids 確實跟台積電的 7 奈米及 4 奈米在 poly、metal、fin pitch、performance 不相上下。英特爾現在終於跟進業界,放棄過去在節點名稱的堅持,這樣一來,就可以專心盯著公司的資本開支、量產時點、良率、產能利用率、成本等。

陸行之點出英特爾製程正名行動的六大關鍵,首先是 10 奈米 SuperFin 加強版正名 7 奈米,2022 年原本要用 10 奈米 SuperFin 加強版量產生產筆電 CPU Alder Lake,伺服器 CPU Sapphire Rapids 正名為 Intel 7 (台積電 2Q18 vs. 英特爾 2Q22 差 4 年)。

第二,7 奈米正名 4 奈米。2023 年原本要用 7 奈米量產筆電 CPU Meteor Lake,伺服器 CPU Granite Rapids 正名為 Intel 4 (台積電 2Q22 vs. 英特爾 2Q23 差 1 年)。

第三,英特爾首次宣布的 3 奈米要在 2023 下半年投片量產,與台積電 2H22 差一年。

第四,英特爾首次宣布的 2 奈米/20A Angstrom 埃米 (有 Ribbon FET、PowerVia、GAA) 要在 2024 年幫高通投片量產新產品,這應該跟台積電 2 奈米/20A 投片量產時點不相上下。

第五,英特爾首次宣布的 1.8 奈米/18A 要使用改良版 RibbonFET,還有使用 ASML 最新高數值孔徑 High NA EUV。

第六,英特爾首次宣布 2024 年搶下高通 20 埃米晶圓代工產品,亞馬遜 AWS 將成為第一個代工客戶使用英特爾先進封裝解決方案。

陸行之表示,英特爾正名行動回歸產業正軌,這是 Pat 上任 CEO 後,一口氣公布未來四年的製程工藝藍圖,若以後再延遲,就會很難看了。


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