〈南亞科建新廠〉三大原因 決定啟動12吋廠投資計畫

南亞科總經理李培瑛。(鉅亨網記者林薏茹攝)
南亞科總經理李培瑛。(鉅亨網記者林薏茹攝)

DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (20) 日宣布將斥資 3000 億元,在新北市泰山南林科技園區建 12 吋廠。總經理李培瑛指出,受惠 5G 等應用驅動,DRAM 需求每年均穩定成長 15-20%,供應商也都理性擴產,加上既有廠空間已不足,因此決定建新廠,量產第一階段將先導入自主研發 10 奈米級技術的第二世代。

李培瑛表示,12 吋新廠以 7 年三階段投資,規劃月產能共 4.5 萬片,2024 年將量產第一階段、月產能約 1.5 萬片,將導入自主研發的 10 奈米級製程第二世代,而後續也將陸續導入第三世代、甚至第四世代,至於 EUV(極紫外光) 微影生產技術將從第三世代啟動。

建廠資金方面,李培瑛指出,南亞科目前手中現金仍有 600 億元,短期內現金流不是問題,長期可能會適度舉債,但負債比還是會維持相當低的水準,目前還不需要籌資,可能 3、4 年後再做思考。

對於選在此時間點建廠,李培瑛表示,目前 3A 廠僅剩小小的空間,為公司長遠永續發展,必須在製程技術、產品技術、產能規劃上持續推進。

李培瑛指出,目前 DRAM 市況、客戶需求穩定成長,供應商也都因應市場需求、相對理性的增加產能,且所有供應商對 DRAM 產業的依賴度都非常高,因此過去幾年,產業都相對穩健發展。

另一方面,李培瑛表示,5G、AI、工業等應用,對 DRAM 需求持續提升,隨著電子產品智慧化含量增加,DRAM 市場需求每年均穩定成長 15-20%,大部分供應商在擴產時,也會設法貼近產業實際需求增幅。


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