〈觀察〉上下游整合鳴響第一槍 化合物半導體產業鏈可望加速串連佈局

氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等化合物半導體應用，近來成各半導體廠競相逐鹿之地，但台廠在化合物半導體生態系佈局不如矽材料完整，成為產品開發的阻礙之一，中美晶 (5483-TW) 宣布入股宏捷科 (8086-TW) 後，鳴響上下游產業鏈整合的第一槍，未來相關廠商在上下游整合、建立產業生態系上，態度可望越趨積極。

半導體材料歷經 3 個發展階段，第一代是矽 (Si) 等基礎功能材料；第二代進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表；第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料。

氮化鎵、碳化矽等第三代化合物半導體材料，具備高頻、高電壓優勢，加上導電性、散熱性佳，元件體積也較小，適合功率半導體應用，在 5G、電動車等需求推升下，氮化鎵、碳化矽應用近來成各半導體廠競相逐鹿之地。

不過，台廠在化合物半導體生態系佈局方面，上、中、下游產業鏈的整合，不如矽材料完整，各廠商單獨進行技術研發，缺乏整合平台，供產業鏈彼此相互串連，若能在整合平台上，進行資源共享，才可望共同推進新應用發展速度，這也是中美晶入股砷化鎵代工廠宏捷科的主因之一。

中美晶近年來積極佈局化合物半導體材料，在氮化鎵晶圓方面已投入逾 7 年時間，碳化矽材料今年也邁入第 4 年，為加速化合物半導體材料發展進程，今年與交大合作，成立化合物半導體研究中心，並投入近 35 億元，參與宏捷科私募成為其最大股東，雙方將合作加速開發氮化鎵產品進程。

宏捷科在砷化鎵晶圓代工領域擁有自主技術，近年來也積極開發氮化鎵產品，與環球晶具有上下游材料供應互補綜效，且從砷化鎵到 GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵) 製程轉換相對較快，中美晶可藉此獲得客戶回饋，認證產品的高壓、高頻與高溫耐受力，提供符合客戶需求的化合物半導體晶圓。

同樣佈局化合物半導體多年的漢磊投控 (3707-TW)，則透過集團內資源串連，加快化合物半導體產品發展速度，旗下磊晶矽晶圓廠嘉晶 (3016-TW) 的 4 吋與 6 吋 SiC 磊晶矽晶圓產能，已獲客戶認證並量產，同集團的晶圓代工廠漢磊科，則提供 SiC Diode、SiC MOSFET 晶圓代工服務，主要應用包括車載、伺服器電源系統領域，效益明年可望發酵。

隨著 5G 基地台與手機、電動車、電源等應用快速攀升，產業對氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等化合物半導體材料產品需求，將開始進入高速成長階段，產業鏈間相互整合、串連，有助加速產品開發時程，未來相關廠商在上下游整合、建立產業生態系上，態度可望越趨積極。