環球晶攜交大成立化合物半導體研究中心 積極佈局碳化矽、氮化鎵

環球晶攜手交大成立化合物半導體研究中心 積極佈局碳化矽、氮化鎵。(圖:環球晶提供)
環球晶攜手交大成立化合物半導體研究中心 積極佈局碳化矽、氮化鎵。(圖:環球晶提供)

矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 今 (27) 日與國立交通大學正式簽訂合約,共同合作成立化合物半導體研究中心,攜手研發第三代半導體材料,包含、但不限於 6 至 8 吋碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 技術開發,盼能加速建立台灣化合物半導體產業鏈。

環球晶母公司中美晶 (5483-TW) 榮譽董事長盧明光表示,碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是非常具發展前景的半導體材料,在下一波產業 5G、電動車等高功率發電、高頻率運用上,是最關鍵的要素,他並強調,世界各國都視碳化矽為國家戰略發展原料及技術,台灣應將第三代半導體發展列為國家科技政策、全力發展。

交大代理校長陳信宏表示,此研究中心將整合跨尺度學理研究特色,並結合環球晶生產製程相關獨特技術,整合理論與實務,共同開發創新高產能相關化合物半導體晶圓製造技術,以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。

相較於傳統半導體矽材料,碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙元件具優異熱傳導率和高速切換能力,可減少運作損耗;出色的性能適合在高溫高電流環境下運作,可提供更高的功率和絕佳熱傳導;其散熱性能優越,且高飽和電流適用於快速充電,卓越的特性適用在 5G 通訊、及需要快速充電與超高壓特性的電動車領域,被視為功率半導體元件的明日之星。

環球晶長期佈局化合物半導體材料,而交大也深耕半導體尖端研究已久,透過雙方共同合作建立化合物半導體研究中心,可藉由產學合作整合,放大研究能量,快速將研發成果導入產業應用,提高台灣化合物半導體產業鏈能見度,藉此建立未來國際領先優勢。


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