環球晶攜交大成立化合物半導體研究中心 積極佈局碳化矽、氮化鎵

矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 今 (27) 日與國立交通大學正式簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料，包含、但不限於 6 至 8 吋碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 技術開發，盼能加速建立台灣化合物半導體產業鏈。

環球晶母公司中美晶 (5483-TW) 榮譽董事長盧明光表示，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是非常具發展前景的半導體材料，在下一波產業 5G、電動車等高功率發電、高頻率運用上，是最關鍵的要素，他並強調，世界各國都視碳化矽為國家戰略發展原料及技術，台灣應將第三代半導體發展列為國家科技政策、全力發展。

交大代理校長陳信宏表示，此研究中心將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶生產製程相關獨特技術，整合理論與實務，共同開發創新高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。

相較於傳統半導體矽材料，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙元件具優異熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導；其散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，卓越的特性適用在 5G 通訊、及需要快速充電與超高壓特性的電動車領域，被視為功率半導體元件的明日之星。

環球晶長期佈局化合物半導體材料，而交大也深耕半導體尖端研究已久，透過雙方共同合作建立化合物半導體研究中心，可藉由產學合作整合，放大研究能量，快速將研發成果導入產業應用，提高台灣化合物半導體產業鏈能見度，藉此建立未來國際領先優勢。