韓媒:三星2大廠預計投入量產記憶體 但供給過剩仍是最大難題

韓媒:三星兩大廠預計投入量產記憶體 但供給過剩仍是最大難題  (圖:AFP)
韓媒:三星兩大廠預計投入量產記憶體 但供給過剩仍是最大難題 (圖:AFP)

南韓三星電子在中國西安及南韓平澤市,都正興建半導體工廠,準備擴大產能,但基於當前供應過剩的疑慮,何時讓這兩座新廠開工、生產什麼產品,都是三星的巨大難題。

記憶體報價顯示,截至 9 月,DDR4 8Gb 的 DRAM 及 128Gb MLC 的 NAND 快閃記憶體,價格分別為每單位 2.94 美元和 4.11 美元,顯示近兩個月價格變化不大,但更之前 10 個月,記憶體晶片價格暴跌,即使製造商減產,也未阻止價格跌至最低點。

南韓媒體《Business Korea》報導,今年,三星正準備利用西安二期工廠及平澤工廠,改善生產設備並調整供貨,根據三星第 2 季財報電話會議所說,公司不準備人為減少 DRAM 的產量,因此,它預計透過在工藝過渡期間,由第一代升級為第二代,停止第一代晶片相關生產線,從而降低其產量。

主要對手均減產力保價格不降

在供應過剩的疑慮下,三星主要競爭對手,均已經在調降產能。SK 海力士宣佈削減 DRAM 和 NAND 快閃記憶體的生產,美光和東芝也降低了產能,如此一來,儘管總需求減少,在供應也降低之下,大廠正努力確保價格不至於下挫。

但明年的情況將更複雜,要是三星在西安的二期工廠,以及平澤預計今年完工的第二工廠,都開始大規模生產存儲晶片,那麼晶片價格的下跌是不可避免的。出於這種擔憂,三星表示,尚未決定何時開工,以及會生產那些產品。

業內觀察家推測,西安的二期工廠將與一期廠一樣,生產 NAND 快閃記憶體,但已遭三星否認,表示尚未決定。由於 NAND 快閃記憶體的價格已在上半年達到平衡點,西安二廠有可能被用來生產 DRAM,因為這部分在中國市場的需求很大。

DRAM 需求、競爭都加大

競爭對手最近的舉動,加劇了三星的擔憂。全球第三大 DRAM 製造商美光在上個月的電話會議上表示,由於明年對 DRAM 的需求預計將成長 18-20%,因此它將相應地增加 DRAM 的供應。同時間,英特爾發布了 Optane,它將佔領一部分 DRAM 市場,從而也加大三星的壓力。

憑藉其在技術和生產能力方面的競爭優勢,三星可以打敗對手,甚至不計代價來壓制對手。但考慮到整體產業的全球形勢,這是非常冒險的。此外,中國當局正在調查三星、SK hynix 和美光公司涉嫌違反反托拉斯法的行為,三星要是冒進,也可能遭到巨大的懲罰。

目前業界對 5G 商業化的「超級周期」抱持一些期望,但由於蘋果要到明年下半年,才可能發布 5G 的 iPhone,這使得半導體的需求預計將受到限制。

伺服器業者對 DRAM 的需求,在最近幾年為三星能繳出佳績貢獻卓著,但這類需求不太可能反彈,也會打擊三星後續的表現。

業內人士表示,由於晶片製造商需要考慮眾多因素,包括美中貿易戰、美國總統大選結果等眾多重大風險,因此三星恐怕還得為此事頭痛不已。


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