研調：Q3行動記憶體佔比升至43.5%，產值增17%

MoneyDJ 新聞 2016-11-24  記者 新聞中心 報導

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示，受惠於全球智慧型手機進入傳統備貨旺季，加上各 DRAM 產品價格同步上揚，今 (2016) 年第三季行動式記憶體總產值達 45.88 億美元，季成長約 16.8%(詳見末表)。 DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，第三季在蘋果 iPhone 7 與三星 Note 7 旗艦機型發佈下，全球行動式記憶體出貨大增，即使 Note 7 受爆炸影響於第四季宣布停產，但先前的備料動作已為第三季行動式記憶體的營收作出貢獻。 以三大 DRAM 廠行動式記憶體營收市占來看，三星半導體市占持續擴大至約 64.5%，SK 海力士約為 22.8%(韓廠第三季市佔達 87.3%，見末圖)，美光半導體為 10.6%，三大主要 DRAM 廠營收佔比達 97.9%，而排名第四的南亞科 (2408) 僅有 1.3%。 吳雅婷指出，第三季行動式記憶體佔 DRAM 總營收比例上升至 43.5%，而第四季在 Note 7 停產後各品牌廠紛紛搶佔三星失去的市場，且行動式記憶體價格上漲趨勢不變的情況下，預計行動式記憶體在 DRAM 總營收佔比仍將持續擴大。 就三大 DRAM 廠競爭能力分析，吳雅婷指出，三星仍是行動式記憶體霸主，除 20 奈米製程已進入相當成熟的階段，第四季更有 LPDDR4 16Gb mono die 正接受客戶的驗證，而由於其技術領先業界，如驗證成功，明 (2017) 年高階手機將有望搭載 8GB 記憶體。此外，三星 18 奈米製程技術也將於明年放量，有望進一步提升三星半導體部門獲利。 SK 海力士 21 奈米製程良率正逐步提升，加上適逢手機傳統出貨旺季，其 21 奈米製程行動式記憶體投片量也在第三季放大。SK 海力士計畫將 21 奈米製程良率推至更成熟的階段，並擬於明年下半年導入 18 奈米的試產。 美光集團先前由於財務狀況不穩定，在行動式記憶體採 20、25 奈米並重策略，並以華亞科 20 奈米轉進速度最快，且專注於提供蘋果陣營需求，而非蘋果陣營的行動式記憶體，以廣島廠與台灣美光記憶體的 25 奈米製程供應比重較高；此外，明年美光集團也有望導入 18 奈米製程。 台系 DRAM 廠方面，吳雅婷指出，受惠於行動式記憶體的生產比重提升，加上行動式記憶體漲價，南亞科在全球 DRAM 廠季營收市佔從 1.1% 提升至 1.3%；目前南亞科廠內正進入 20 奈米製程轉換工程，該製程的行動式記憶體產能將於明年開出。 華邦電 (2344) 第三季在全球 DRAM 廠的營收市占與上季持平，約 0.8%，整體營收在客製化產品與 ASIC 產品價格提升後小幅成長；華邦電新製程 38 奈米有機會於今年少量生產，且將優先應用在利基型記憶體與行動式記憶體領域。