快閃記憶體
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隨著 DRAM 超級週期正式來臨，多份產業報告指出記憶體與快閃記憶體的長期供應將持續緊張。自第二季度以來，DDR4 記憶體價格一路攀升，帶動 DDR5 也跟著回升，讓近期有裝機需求的消費者因此面臨更高成本壓力。今年 9 月，記憶體與快閃記憶體巨頭美光科技 (MU-US) 和 SanDisk (SNDK-US) 相繼發布漲價通知。
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南韓 SK 海力士今 (11) 日宣布，已正式向客戶供應全球率先實現量產的行動端 NAND 快閃記憶體解決方案產品 ZUFS 4.1。該產品已搭載於全球手機製造商的最新智慧手機，再次凸顯 SK 海力士在全球市場的技術優勢，能為智慧手機提供更強大的端側 AI 功能支持，為用戶帶來全新體驗。
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華爾街投資機構花旗集團 (C-US)周二 (9 日) 出具研究報告指出，受 AI 領域對儲存需求激增驅動，2026 年全球關鍵科技商品 DRAM 與 NAND 快閃記憶體恐面臨供不應求局面。花旗分析師指出，隨著 AI 應用從「訓練」向「推理」及邊緣設備延伸，一般伺服器記憶體、行動端 DRAM 及高頻寬 / 高密度 NAND 快閃記憶體 (如企業級 QLC 固態硬碟) 需求將大幅成長，DRAM 供需比料將下滑至 - 1.8%，NAND 快閃記憶體供需比更低至 - 4%，整體記憶體市場供需關係趨緊並推升。
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分析師認為，在美國政府收緊出口管制，撤銷三星電子、SK 海力士的中國廠晶片豁免之後，電腦硬碟和記憶體業者有望受益，相關個股周四 (4 日) 應聲上漲，Sandisk(SNDK-US)更以將近 18% 的漲幅遙遙領先。Sandisk 周四終場上漲 17.9% 至每股 62.50 美元。
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據大陸科技媒體《芯通社》報導，半導體巨頭三星電子近日宣布，已與中國儲存晶片製造商長江儲存 (YMTC) 簽署一項關鍵專利授權協議，涉及下一代 3D NAND 快閃記憶體的核心封裝技術－混合鍵結 (Hybrid Bonding)。報導稱，此舉標誌著三星在突破 400 層 NAND 技術瓶頸的關鍵節點上，選擇了與中國本土企業深度合作，而非傳統的技術對抗路徑。
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路透社引述消息人士報導，在貝恩資本支持下，日本快閃記憶體大廠鎧俠 (Kioxia) 最快將在 22 日東京證券交易所上市批准，根據參考價格 (indicative price) 來看，鎧俠上市後，市值可望增至 7500 億日元(約 48.4 億美元)。