快閃記憶體
日本半導體大廠鎧俠控股周五 (31 日) 公布 2026 會計年度第一季 (4 月至 6 月) 財務報告。受惠於全球 AI 資料中心 對記憶體零件的強勁需求，公司單季淨利較去年同期大幅成長超過 45 倍，顯示人工智慧浪潮正持續帶動快閃記憶體市場的回溫。
A股
很多人聊起中國晶片產業，第一時間想到的往往是光刻機、華為海思或國產 CPU。但實際上，在現代數位與人工智慧架構中，還有一個更基礎、更具戰略意義的底層領域——儲存晶片。無論是日常使用的智慧型手機、個人電腦，還是龐大的伺服器與人工智慧資料中心，都離不開儲存晶片的高效運作。
科技
外媒報導指出，三星電子正將超過 60% 的 V-NAND(垂直堆疊 NAND) 產能供應給輝達，用於後者即將鋪量的 AI 伺服器上下文存儲平台 CMX(Context Memory Storage)。單套 CMX 搭載 576 塊 SSD、總容量達 9600TB，專門承接大模型推理時暴增的 KV 快取數據，緩解 GPU HBM 外溢瓶頸。
歐亞股
儘管記憶體大廠鎧俠 (Kioxia) 市值較 6 月高峰腰斬，仍獲得市場力挺。野村證券周四 (16 日) 重申「買入」評級，並將目標價上調至 12.6 萬日元。野村認為，NAND 快閃記憶體供需持續改善，加上市場對 AI 需求轉趨樂觀，將成為鎧俠後市的兩大支撐。
歐亞股
鎧俠（Kioxia）正式啟動新一代 BiCS-10 NAND 快閃記憶體量產，獲得摩根士丹利高度關注。大摩認為，BiCS-10 的量產象徵鎧俠在下一代 AI 資料中心儲存市場邁出關鍵一步，透過介面速度、儲存密度與能效的全面提升，強化企業級 SSD 的競爭力。
美股雷達
今年上半年漲勢強勁的晶片股在下半年第一個交易日遭投資人獲利了結，SanDisk(SNDK-US)、美光 (MU-US) 股價周三 (1 日) 雙雙重挫逾 10%。不過，在 NAND 快閃記憶體供應短缺預料將延續至 2027 年之際，仍有分析師認為 SanDisk 股價還有上漲空間。
外媒最新報導指出，全球記憶體晶片巨頭 SK 海力士正籌劃一場史上規模最大的 DRAM 產能擴張，力圖在 AI 驅動的半導體新週期中搶佔先機。根據《The Elec》等韓媒披露，SK 海力士已向核心供應商通報中長期規劃，擬在 2030 至 2031 年之間，將 DRAM 晶圓月投片產能從目前約 55 萬片提升至約 100 萬片，幾乎翻倍。
歐亞股
日本半導體巨頭鎧俠 (Kioxia Holdings) 周三 (3 日) 在東京股市中表現極為強勁，股價一度飆升至 83,140 日元的歷史新高，漲幅達 7.2%。這使得其市值一度突破 45 兆日元 (約 2,800 億美元)，短暫超越龍頭豐田汽車 (Toyota)，躍居日本國內市值第二大企業，僅次於軟銀集團。
歐亞股
三星電子宣布完成全球首個 900 層 V-NAND 快閃記憶體原型開發，透過先進接合技術將兩片 450 層晶圓整合為單一元件，而非單純向上增加堆疊層數。隨著單層垂直堆疊逐漸逼近物理極限，NAND Flash 技術競賽也迎來轉折點，從過去比拚層數的「向上硬擠」，正式邁向多晶圓「空中對接」的新架構時代。
歐亞股
外媒最新報導指出，南韓化工企業 PKC 宣佈將半導體用高純度氯氣 (Cl₂) 產能提升 50%，年產能由 1400–1500 噸增至 2100–2200 噸，投資規模達數百億韓元。南韓媒體《THE ELEC》周四 (28 日) 報導，PKC 此次擴產是跟三星電子協同推動，因 NAND 快閃記憶體向 300 層演進及 GAA、FinFET 等先進製程帶動氯氣需求激增，且三星已要求將高純度氯化氫 (HCl) 供應範圍擴大至 NAND 與代工全流程。
歐亞股
三星電子在記憶體堆疊技術上再度寫下里程碑。據南韓業界消息，公司已成功打造出全球首個 900 層級 V-NAND（垂直型快閃記憶體）整合系統原型。這項突破不僅象徵三星正式跨入「千層 NAND 時代」門檻，也在競爭激烈的次世代記憶體戰局中，重新鞏固其技術領先地位。
歐亞股
在三星與 SK 海力士近期雙雙延遲第十代 NAND Flash 量產節點之際，日本鎧俠 (Kioxia) 率先拋出明確的量產時間表，試圖搶佔技術先機。近日，鎧俠正式將第十代 BiCS10 3D NAND 快閃記憶體的量產列為 2026 財年 (2027 年 3 月止) 的首要戰略重點。
歐亞股
中國國產記憶體晶片雙雄近期接連在資本市場展露鋒芒，長鑫科技甫遞表科創板，長江存儲控股股份有限公司隨即在周二 (19 日) 盤後宣布啟動 A 股 IPO 輔導，輔導機構由中信證券與中信建投聯手擔綱，這家總部位於武漢的記憶體巨頭正式踏上衝刺資本市場的征途。
台股新聞
第一銀行與台北富邦銀行今（12 ) 日完成群聯電子 (8299-TW) 等值新台幣 120 億元永續連結聯貸案。這不僅是群聯電子首度辦理聯貸，更吸引高達 11 家銀行共襄盛舉，最終超額認購率達到 224%，顯見金融圈對群聯電子在 AI 儲存領域領導地位及未來成長潛力的高度肯定。
國際政經
當前，AI 正從單純的算力比拼邁入以「Token」為核心的生產力時代，這項典範轉移正引發全產業鏈的劇烈震盪。隨著 AI 智能體從概念走向大規模落地，應用創新不斷加速，導致 Token 消耗量呈指數級增長，進而引爆對資料儲存的「剛需」，這不僅推高儲存硬體的價格，更在深層重塑了從資料中心架構到商業邏輯的底層邏輯。
歐亞股
中國記憶體晶片產業正以驚人速度改寫全球版圖，以龍頭企業長江存儲為首的國產陣營，已徹底擺脫過去「低價競爭」的刻板印象，展開一場產能與技術的雙重躍升。最新財報顯示，長江存儲今年首季營收突破人民幣 200 億元，較去年同期翻倍暴增，其 NAND 全球市占率正式跨越 10% 門檻，直逼全球前三大廠商之列。
美股雷達
那斯達克交易所 (Nasdaq Inc) 周五 (10 日) 晚間宣布，記憶體大廠 SanDisk(SNDK-US) 將加入那斯達克 100 指數 (NDX-US)，預定 4 月 20 日美股開盤前取代 Atlassian(TEAM-US)，象徵成分股組成的重大變化。
歐亞股
受 AI 熱潮持續升溫影響，市場對高效能記憶體晶片的需求不斷攀升，HBM 與 NAND 快閃記憶體等產品普遍陷入供不應求局面。在此背景下，輝達不再侷限於傳統供應鏈合作模式，轉而積極介入前瞻性技術研發，以提升自身產品效能並緩解產業瓶頸。《首爾經濟日報》周四 (12 日) 報導，輝達已加入三星電子的研發陣營，雙方攜手開發新一代 AI 技術，並專注於攻關鐵電 NAND 快閃記憶體這一先進領域。
科技
最新市場數據顯示，今年 2 月記憶體現貨價格整體上揚，其中 NAND 快閃記憶體晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續擴大，現貨價格快速攀升，採購資金壓力同步增加，若趨勢不變，業界恐面臨周期性崩潰風險。具體來看，DDR5 16G(2Gx8) 晶片均價升至 39 美元，月增 7.4%，1Tb TLC 快閃晶圓漲 25% 至 25 美元，成為月度漲幅冠軍。
美股雷達
蘋果 (AAPL-US)執行長庫克周二 (24 日) 在社群平台上宣布，Mac mini 將於今年稍晚首度在美國本土投產，這是蘋果 6000 億美元投資美國計畫的關鍵一環，標誌著蘋果自 2013 年 Mac Pro 本土化受挫後，再次將核心硬體生產線遷回美國，引發業界廣泛關注。