陸媒：三星與長江儲存達成專利合作

據大陸科技媒體《芯通社》報導，半導體巨頭三星電子近日宣布，已與中國儲存晶片製造商長江儲存 (YMTC) 簽署一項關鍵專利授權協議，涉及下一代 3D NAND 快閃記憶體的核心封裝技術－混合鍵結 (Hybrid Bonding)。

報導稱，此舉標誌著三星在突破 400 層 NAND 技術瓶頸的關鍵節點上，選擇了與中國本土企業深度合作，而非傳統的技術對抗路徑。

隨著 NAND 快閃記憶體層數向 400 層以上演進，傳統晶片封裝技術面臨物理極限挑戰。三星計畫於 2024 年下半年量產的第十代 V10 NAND 將採用 W2W(Wafer-to-Wafer) 混合鍵結技術，透過直接堆疊兩片矽晶圓，省去傳統凸點連接 (Bump)，顯著縮短訊號傳輸路徑並提升散熱效率。

相較先前的 COP(Cell-on-Peripheral) 架構，混合鍵結可將儲存單元與控制電路分置於獨立晶圓，大幅降低超高層堆疊對底層電路的壓力，進而保障產品可靠性。

值得注意的是，混合鍵結技術最早由 YMTC 於 2020 年以「Xtacking」架構推出，成為其突破 3D NAND 技術壁壘的核心。該技術透過分層設計實現了更高的整合密度與良率，而三星此次選擇直接授權，而非自主研發或規避專利，凸顯了其對技術可行性的務實考量。

混合鍵結技術的專利佈局歷來複雜。除 YMTC 外，美國企業 Xperi 及台積電也持有相關專利。知情人士透露，三星此次僅與 YMTC 達成協議，但未排除後續與其他專利方的協商可能。

產業分析指出，若三星試圖繞過 YMTC 專利，不僅研發成本高昂，還可能因技術相容性風險延誤而量產進度。尤其在 400 層 NAND 領域，YMTC 的專利覆蓋率已達業界主流水準，三星的「授權策略「實為加速技術落地的最優解。

值得關注的是，三星的市場競爭壓力也推動其做出此決策。根據最新數據，三星目前佔據全球 NAND 市場 36.9% 的份額，但其競爭對手 SK 海力士已在 2023 年底宣佈量產 321 層 NAND，並計畫 2024 年跟進 400 層技術。透過引進 YMTC 的成熟專利，三星可縮短自身研發周期，並維持其在高階儲存市場的領先地位。