euv

01-21美股雷達

ASML執行長：即便對手能複製我們的光刻機 也只能複製外觀 複製不了核心

據市場研究機構 Trend Force，艾司摩爾 (ASML)(ASML-US) 執行長 Christophe Fouquet 認為，中國在無法取得 EUV 光刻機的情況下，其晶片製造技術落後國際企業 10 年。即便競爭對手想複製一台中國產 EUV 光刻機，也只能複製外觀，無法複製內部的蔡司鏡頭、西盟光源及台積電多年的精密測試數據。

12-23美股雷達

美媒：中國正建造EUV原型機 距離真正量產還需至少10年

據美國科技媒體 Tom"s HardWare 報導，中國正在建造 EUV 光刻系統的原型機，預計 2030 左右製造原型晶片。該設備有前 ASML 員工參與，但目前尚不清楚中國設備的進度細節。ASML 曾在聲明中寫道，有企業想要複製我們的技術是合理的，但想要做到這一點絕非易事。

10-15歐亞股

ASML訂單超預期 但預警中國需求將顯著下滑

荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾 (ASML) 周三 (15 日) 公布季度財報，單季淨訂單超越市場預期，但公司同時發出預警，預計 2026 年來自中國的銷售額將出現顯著下滑。根據財報數據，ASML 在 2025 年第三季度的淨訂單達到 54 億歐元。

09-26A股港股

中國產DUV傳獲突破 但面臨十年產業低效期

在美國持續升級的技術制裁下，中國半導體產業的自主化進程傳關鍵突破。據《金融時報》報導，上海新創公司宇量昇已成功研發出一款 28 奈米深紫外光（DUV）曝光機，目前正由中芯國際進行測試。 據報導，該設備在技術上與荷蘭半導體巨頭 ASML 的浸潤式 DUV 光刻機相似，並能利用「多重圖形技術」來生產 7 奈米製程的晶片。

03-27A股港股

中國新凱來傳聞將在本周展示DUV 5奈米突破性技術

據《TrendForce》報導指出，隨著中國尋求減少對西方極紫外光 (EUV) 微影系統等晶片製造機器的依賴，該國正積極將現有的深紫外光 (DUV) 技術推向極限。據媒體早前報導，與華為相關的新凱來 (SiCarrier) 可能透過其自對準四重圖案化 (SAQP) 技術，實現中國國內的 5 奈米晶片生產。