中國產DUV傳獲突破 但面臨十年產業低效期

在美國持續升級的技術制裁下，中國半導體產業的自主化進程傳關鍵突破。據《金融時報》報導，上海新創公司宇量昇已成功研發出一款 28 奈米深紫外光（DUV）曝光機，目前正由中芯國際進行測試。 

據報導，該設備在技術上與荷蘭半導體巨頭 ASML 的浸潤式 DUV 光刻機相似，並能利用「多重圖形技術」來生產 7 奈米製程的晶片。

報導稱，這則消息展現了中國半導體產業的強勁韌性，並凸顯其在外部壓力下加速自主研發的決心。

美國的技術封鎖始於兩年多前，最初限制能大規模生產 7 奈米以下晶片的 EUV 光刻機出口。隨後，制裁範圍在 2024 年進一步擴大，將多款先進的浸潤式 DUV 光刻機也納入禁運清單。

然而，這項旨在遏制中國發展的政策，卻意外成為催化劑。過去，由於國外設備在性能與價格上具備優勢，中國國內企業採用國產設備的意願不高，阻礙了本土技術的市場化進程。如今，外部供應受限迫使中國晶片公司轉向國內設備商，為國產設備提供了寶貴的實踐與改良機會，從而加速技術提升。

選擇 DUV 光刻機作為突破口，是中國在 EUV 被封鎖下的務實策略。雖然 EUV 是生產先進晶片的最高效工具，但利用先進的浸潤式 DUV 搭配多重圖形技術，同樣可以製造出 7 奈米晶片。

不過，這條路徑充滿挑戰。用 DUV 光刻機製造先進晶片，其成本、能效與良率均會大幅波動，綜合成本遠高於使用 EUV 設備。 ASML 現任執行長 Christophe Fouquet 便指出，這條路線可能讓中國產業陷入長達十年的低效期。

Fouquet 早前接受《紐約時報》專訪時也警告，美國的出口限制，不僅會削弱 ASML 的主導地位，還會進一步促進中國自立自強，這將會顛覆數十年以來的晶片全球化體系。

此外，產業內部也面臨「內捲」的隱憂。中微半導體董事長尹志堯呼籲，中國設備企業應避免為了搶佔市場而進行惡性競爭，唯有分工協作，才能解決關鍵的「卡脖子」問題。