HBM
美股雷達
輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳在摩根士丹利科技大會上向全球記憶體產業釋出強烈訊號，直言 DRAM 廠商可放心擴產，「蓋多少產能，輝達就用多少」，顯示 AI 浪潮帶動的記憶體需求仍將持續爆發。在不少市場人士將記憶體、晶圓、先進封裝與電力等資源限制視為 AI 產業發展瓶頸之際，黃仁勳卻提出不同觀點。
摩根大通 (下稱小摩) 周日 (8 日) 發布研報指出，SK 海力士在小摩韓國大會上釋放了強烈信號，指當前記憶體產業正迎來比預期更長的上行周期，小摩亦維持對 SK 海力士的「增持」評等，目標價每股 125 萬韓元，較上周五 (6 日) 收盤價隱含約 35% 的上行空間。
歐亞股
南韓三星電子正面臨新一輪勞資緊張局勢，外媒最新報導指出，代表約 8.9 萬名員工的三星主要工會正就薪資問題與公司協商，並打算在本週舉行投票，決定是否發起為期 18 天的罷工行動三星電子勞工聯盟表示，若提案獲批，罷工將於 5 月 21 日至 6 月 7 日展開，持續 18 天。
美銀全球研究團隊上周六 (7 日) 發布記憶體產業最新追蹤報告指出，記憶體產業正身處「超級周期」。有別於普通的季節性回溫或一、兩季的價格波動，超級周期意味著供需錯配將持續多年，帶動產業獲利中樞系統性抬升。值得關注的是，中東衝突對全球記憶體晶片供應鏈幾乎沒有造成影響，因記憶體產業已形成高度「亞洲內循環」；晶圓製造集中於南韓、台灣和日本，封測環節分佈於東亞與東南亞，下游則以亞太及北美的雲端服務商和 AI 伺服器為主，地緣政治擾動對供給端的衝擊遠低於市場預期。
韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。
最新市場數據顯示，今年 2 月記憶體現貨價格整體上揚，其中 NAND 快閃記憶體晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續擴大，現貨價格快速攀升，採購資金壓力同步增加，若趨勢不變，業界恐面臨周期性崩潰風險。具體來看，DDR5 16G(2Gx8) 晶片均價升至 39 美元，月增 7.4%，1Tb TLC 快閃晶圓漲 25% 至 25 美元，成為月度漲幅冠軍。
美股雷達
全球記憶體市場波動加劇的背景下，輝達正透過供應鏈多元化策略緩解 RTX 50 系列顯示卡的產能壓力。根據硬體拆解機構 Quasar Zone 最新報告，影馳 GeForce RTX 5060 Black OC V2 顯示卡首次採用美光 GDDR7，標誌著繼三星、SK 海力士後，輝達正式引入第三家核心顯示記憶體供應商。
美股預估
根據FactSet最新調查，共18位分析師，對Hudbay Minerals Inc.(HBM-US)做出2026年EPS預估：中位數由1.61元上修至1.66元，其中最高估值2.03元，最低估值1.14元，預估目標價為29.24元。※本篇提及EPS與營收的單位均為「美元」市場預估EPS預估值2026年2027年2028年2029年最高值2.03(2.03)2.922.753.31最低值1.14(1.14)1.471.251.36平均值1.61(1.59)2.051.812.53中位數1.66(1.61)2.071.72.91市場預估營收預估值2026年2027年2028年2029年最高值31.27億35.94億35.65億42.61億最低值23.31億23.12億26.06億33.57億平均值27.27億31.08億29.80億38.39億中位數27.40億30.83億28.49億38.98億歷史獲利表現項目2021年2022年2023年2024年2025年EPS-0.930.270.220.201.44營業收入15.11億14.76億16.84億19.86億21.64億詳細資訊請看美股內頁：Hudbay Minerals Inc.(HBM-US)資料來源：Factset，數據僅供參考，不作為投資建議。
美股雷達
美國記憶體大廠 Sandisk 與 SK 海力士周三 (25 日) 在前者總部聯合舉辦「HBF 規格標準化聯盟啟動會」，這標誌著兩大記憶體廠正式啟動高頻寬快閃記憶體(HBF) 的全球標準化進程。《韓聯社》報導，SK 海力士今 (26) 日表示，已與 Sandisk 攜手合作，開始將下一代儲存技術 HBF 標準化，以強化其在 AI 晶片市場的地位。
美股雷達
輝達 GTC 2026 大會將於 3 月 15 日在加州聖荷西登場，外媒最新報導指出，這家 AI 晶片巨擘將發布首款使用 1.6 奈米製程的晶片。南韓媒體《朝鮮商業》報導，輝達將於大會上發布革命性 AI 晶片 Feynman，這款搭載全球首款 1.6 奈米製程的產品將成為半導體行業的里程碑。
美股雷達
由兩位前谷歌 TPU 核心工程師 Reiner Pope 和 Mike Gunter 創立的 AI 晶片新創公司 MatX 周二 (24 日) 完成 5 億美元 B 輪融資，標誌著這家成立僅三年的公司正式躋身 AI 算力競賽核心戰場。本輪融資由量化巨頭 Jane Street 跟 OpenAI 前研究員 Leopold Aschenbrenner 創立的 Situational Awareness 聯合領投，Marvell Technology、NFDG、Spark Capital 以及 Stripe 共同創辦人 Patrick 和 John Collison 兄弟參投。
歐亞股
隨著 AI 算力需求爆發，記憶體在半導體領域的戰略地位驟升，美國科技巨頭正掀起針對南韓記憶體人才的高薪搶人大戰。根據外媒報導，輝達、蘋果、聯發科、高通等科技大廠近期密集在南韓進行定向招聘，目標直指三星電子、SK 海力士的記憶體工程師。輝達本月發布 HBM 開發工程師職位，基本年薪達 25.875 萬美元 (約 818 萬台幣)，蘋果上月招攬 NAND 產品工程師，年薪 30.56 萬美元 (約 965 萬台幣)，聯發科也開出約 26 萬美元找 HBM 工程師，高通同樣開始在南韓招募 3D DRAM 研發人員。
美股雷達
人工智慧 (AI) 熱潮持續推升記憶體族群表現，美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (000660-KR) 與三星電子 (005930-KR) 近期股價強勢上攻，成為本波 AI 投資主線的最新贏家。不過，分析人士提醒，記憶體產業向來具高度循環性，當前榮景背後已開始浮現中長期風險訊號。
美股雷達
輝達 (NVDA-US) 周一 (23 日) 股價在財報出爐前收高，與晶片股和大盤走勢逆向而行，似乎正準備擺脫科技業面臨的壓力，但巴隆周刊 (Barron’s) 指出，上漲動能與財報關係不大。輝達周一上漲 0.91% 至每股 191.55 美元，但其他晶片股大多走跌，超微 (AMD-US) 下跌 1.77%、博通 (Broadcom)(AVGO-US) 下跌 0.69%。
美股預估
根據FactSet最新調查，共18位分析師，對Hudbay Minerals Inc.(HBM-US)做出2026年EPS預估：中位數由1.57元上修至1.61元，其中最高估值2.03元，最低估值0.93元，預估目標價為29.24元。※本篇提及EPS與營收的單位均為「美元」市場預估EPS預估值2026年2027年2028年2029年最高值2.03(2.03)2.392.753.31最低值0.93(0.93)1.481.291.36平均值1.58(1.57)1.991.962.53中位數1.61(1.57)2.041.752.91市場預估營收預估值2026年2027年2028年2029年最高值31.27億34.92億35.65億42.61億最低值23.31億23.12億28.05億33.57億平均值27.28億30.63億30.71億38.39億中位數27.37億30.56億28.94億38.98億歷史獲利表現項目2021年2022年2023年2024年2025年EPS-0.930.270.220.201.44營業收入15.11億14.76億16.84億19.86億21.64億詳細資訊請看美股內頁：Hudbay Minerals Inc.(HBM-US)資料來源：Factset，數據僅供參考，不作為投資建議。
基金
台股今（23）日馬年開紅盤火力全開，大盤一度攻上 34212 點，終場上漲 167.55 點，收在 33773.26 點續創新高。野村投信指出，生成式 AI 發展進入新階段，台灣供應鏈角色已由受惠者轉為主導者，預計 2026 年成為 AI 發展新主線。
歐亞股
SK 海力士母公司 SK 集團會長崔泰源上周五 (20 日) 在華府表示，將擴大高頻寬記憶體 (HBM) 產能，以因應全球 AI 資料中心建設熱潮。被稱為「怪獸晶片」的 HBM 正推動 SK 海力士股價較去年同期飆升超三倍，去年漲幅更達 280%，市值突破 159 兆韓元。
美股雷達
AI 產業正遭遇嚴峻的記憶體晶片供應危機，谷歌 DeepMind 執行長哈薩比斯近日坦言，記憶體供應鏈全線告急，硬體瓶頸已嚴重阻礙 AI 模型部署與研究進程。面對全球對 Gemini 等大模型激增的需求，谷哥現有晶片供應捉襟見肘。記憶體短缺正引發連鎖反應。
科技
南韓記憶體巨擘 SK 海力士上周五 (20 日) 在面向高盛的虛擬投資者會議上釋放明確訊號說：「全球記憶體產業已徹底轉向賣方市場，2026 年價格漲勢將貫穿全年。」SK 海力士這項判斷是基於 AI 需求爆發與供應端剛性約束的雙重擠壓。根據 SK 海力士揭露，目前 DRAM 及 NAND 快閃記憶體庫存僅餘約 4 周，且所有客戶需求都無法滿足。
歐亞股
日本快閃記憶體製造商鎧俠 Kioxia 週四 (12 日) 公布亮眼財報與強勁展望後，週五 (13 日) 在東京證券交易所延續漲勢，該股早盤噴漲超 12%。南韓記憶體族群同樣受惠，三星電子與 SK 海力士週五在韓國證券交易所同步開盤走揚。鎧俠週四指出，截至 2025 年 12 月 31 日止的 2025 財年第三季，公司營收年增 21.2%，達 5,436 億日元，主要受平均銷售價格 (ASP) 上升、位元出貨量增加，以及匯率因素推升。