鉅亨網編譯莊閔棻
記憶體市場正出現一項出人意料的變化。瑞銀（UBS）最新研究指出，對美光科技(MU-US) 等記憶體業者而言，隨著產能持續受到擠壓，通用DRAM的獲利能力反而可能優於高頻寬記憶體（HBM），且兩者的毛利率差距未來幾年可能進一步擴大。
根據瑞銀數據，美光通用DRAM毛利率2025年約為44%，之後逐步升至50%，進入2026年初更大幅攀升至80%。
在資料中心需求仍未達飽和的情況下，瑞銀預估通用DRAM毛利率2027年可能進一步升至95%，2028年大部分時間則維持在約93%。
相較之下，HBM雖然同樣維持毛利率上升趨勢，但增幅相對有限。瑞銀估計，美光HBM毛利率2025年約落在56%至63%，2026年升至63%至70%，2027年則預估達75%至78%。
換言之，到了2027年，通用DRAM與HBM的毛利率差距可能擴大至17至20個百分點。
瑞銀認為，兩種產品獲利能力出現反差，關鍵在於HBM的製造難度明顯高於傳統DRAM。HBM必須將多個DRAM裸晶進行垂直堆疊，不僅製造流程更複雜，也容易面臨良率與成本問題，同時會消耗更多DRAM產能。
隨著記憶體業者將更多晶圓投入HBM生產，可分配給通用DRAM的產能也會同步減少。在需求持續存在的情況下，供給受到壓縮，反而可能進一步推升通用DRAM價格與毛利率，使其成為產能重新配置下的意外受益者。
從出貨量來看，美光HBM業務仍持續擴張。瑞銀預估，美光HBM季度出貨量將由2025年初的0.1 EB，逐步增加至2027年底的0.43 EB。
不過，儘管出貨量明顯成長，HBM毛利率仍低於通用DRAM，顯示HBM的單位獲利能力未必優於傳統DRAM。
分析稱，這也讓美光面臨產能配置上的兩難。面對SK海力士(000660KS) 與三星電子(005930KS) 在HBM4市場的競爭，美光仍需維持HBM布局，但若持續將更多產能轉向HBM，勢必進一步壓縮通用DRAM供給，進而推升後者的價格與獲利。
換句話說，美光在 HBM 上每投入一分產能，反而可能讓通用 DRAM 的利潤再漲一截。
因此，美光需要在HBM擴產與通用DRAM高毛利之間尋找平衡，既維持HBM出貨規模，也避免犧牲目前通用DRAM帶來的高額利潤。
不過，這波高毛利環境並非沒有期限。另一份報告指出，目前記憶體製造商手握約380億美元預付款，其議價能力預計從2029年開始減弱，市場力量將逐步轉向客戶。
在此背景下，當前記憶體市場的高毛利窗口期可能僅剩2至3年。分析稱，對美光而言，如何利用這段期間配置HBM產能，同時最大化通用DRAM的獲利，將成為下一輪市場循環前的重要策略考驗。
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