中國國產替代迎黃金機遇！高盛：長鑫存儲IPO恰逢其時 鎖定2026-2028記憶體超級週期

中國國內唯一實現 DRAM 大規模量產的 IDM 企業長鑫存儲本月正式在科創板掛牌申購，以 7.67% 的全球市佔率穩居中國第一、全球第四，徹底改寫三星、SK 海力士、美光壟斷逾 9 成市佔率格局，成為中國半導體記憶體業里程碑式事件。

高盛最新研報確認，受 AI 驅動的記憶體超級週期鎖定至 2028 年，而供給端海外巨頭產能全面傾斜 HBM 高端賽道，HBM 晶圓消耗為傳統 DRAM 的 3-4 倍，導致通用 DRAM 與 NAND 產能持續收縮，到 2030 年全球傳統 DRAM 產能年複合成長率僅 7-8%，遠低於上一輪 12%。

需求端方面，中國算力基建與 AI 大模型爆發，伺服器佔全球 DRAM 需求 50%，疊加自主可控政策，下游國產化採購意願達歷史峰值，供需缺口全面擴容。

根據高盛預測，今年傳統 DRAM 均價年增 326%，NAND 年增 283%，未來三年 DRAM 毛利率穩定在 80% 左右，HBM 市場規模 2028 年將達 1680 億美元。

同時，LTA 長期鎖價協議普及，長鑫已深度綁定阿里巴巴、字節跳動、騰訊等重量級客戶，擺脫價格戰內捲進入穩健盈利期。當前中國記憶體國產化率僅 15%，海外讓出的通用市場空間為長鑫提供絕版替代窗口。

資本市場同步重估邏輯，高盛將海外記憶體巨頭切換成長型本益比估值，並大幅上調目標價，中國國產領域價值重估空間更大。

專家認為，長鑫此次上市募資擴產恰逢週期紅利釋放期，有望依托量價齊升實現業績與估值雙擊，完成從依賴進口到自主可控的歷史性切換。