鉅亨網編譯陳韋廷
近日,中國半導體產業多位領導者在《科技導報》聯合發表專題報告揭露中國晶片技術自主攻堅的最新進展與戰略佈局。報告顯示,中國已在衛星通訊、國防安全、軍事網路等戰略領域實現晶片完全自主可控,建構起保障國安的「數位長城」。
目前,中國攻堅焦點已轉向 14 奈米 FinFET 製程節點的全面自主製造,並以此為基礎向 7 奈米及更先進製程發動衝擊。
在被譽為「晶片之母」的 EDA 工具領域,自 1993 年研發出首套中國國產熊貓 EDA 系統以來,華大九天、廣立微等企業持續突破,其中華大九天 2024 年以 1.56 億美元營收躋身全球第六大 EDA 供應商,為中芯國際、海思等重量級大廠提供關鍵技術支撐。
晶片設計環節,海思憑藉麒麟 9000 系列晶片展現頂尖設計能力,其自研麒麟 9000S 晶片支援超線程技術,紫光展銳則聚焦中低階市場,產品涵蓋千元手機至智慧穿戴設備,兩者合計佔據中國國內手機 SOC 晶片 30% 市佔率。
製造環節的突破尤為顯著。中芯國際透過 FinFET 生產線為華為代工 14 奈米麒麟 710A 晶片,正加速提升 7 奈米 N+1 製程產能,2024 年營收躍居全球晶圓代工廠第三;華虹集團則在 65-22 奈米成熟製程實現完全自主。
設備領域,北方華創建成刻蝕、薄膜沉積等全品類設備矩陣,2025 年推出的首台離子注入設備標誌著關鍵環節突破;中微半導體刻蝕機全球市佔率達 17%,5 奈米設備已進入台積電供應鏈;上海微電子 28 奈米光刻機進入測試階段,為後續量產產量基礎。
報告指出,中國 28 奈米以上成熟製程已實現純國產化,14 奈米 FinFET 製程正處於全產業鏈技術攻關階段。目前挑戰在於製造設備與先進製程的協同突破,特別是 7 奈米及以下節點需在 14 奈米自主化基礎上穩步推進。
專家認為,雖然美國制裁導致產業鏈短期斷層,但倒逼國產技術加速迭代,EDA 工具、成熟製程製造等領域已形成「去美化」替代方案。
業界人士指出,晶片產業技術壁壘高、協同要求嚴,需保持戰略定力持續攻關,當前自主化進程既展現了中國科技自立自強的決心,也為突破高端晶片封鎖奠定了堅實基礎。
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