陸國產DRAM崛起！中國長鑫存儲發布DDR5與LPDDR5X 速率直逼三星、SK海力士國際大廠

中國國產記憶體晶片企業長鑫儲存上周日 (23 日) 在第 22 屆中國國際半導體博覽會上正式發布 DDR5 和 LPDDR5X 兩大產品系列，標誌著該公司在高階 DRAM 領域邁出關鍵一步，也意味著中國國產 DRAM 晶片在技術參數上已逼近國際主流水準。

此次發布中，長鑫儲存推出的 DDR5 產品最高速率達到 8000Mbps，單顆顆粒容量最高為 24Gb，同時配套推出包括 UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM 及 TFF MRDIMM 在內的七種模組形態，全面涵蓋伺服器、工作站及個人電腦等場景應用程式。

長鑫儲存另一大產品線 LPDDR5X 則實現最高速率 10667Mbps，單顆容量最高 16Gb，並提供 12GB 至 32GB 多種容量組合，進一步強化自身在行動儲存市場的佈局。

儘管技術參數已具競爭力，長鑫儲存在全球市佔率仍處於追趕階段。目前全球 DRAM 市場由三星、SK 海力士與美光三大巨頭主導，合計市佔率超 90%，市場高度集中且供應鏈壁壘森嚴。

面對國際壟斷與技術封鎖，長鑫儲存正透過快速擴產提升競爭力。根據 Trendforce 數據，今年底月產能將達 30 萬片，年增近 50%。

根據 Counterpoint Research 數據，今年長鑫儲存 DRAM 出貨量年增 50%，市佔率預計從第一季的 6% 提升至四季的 8%，其中 DDR5 市佔率從不足 1% 上升至 7%，LPDDR56% 從 25% 躍升至 7%。

產業分析師指出，記憶體晶片價格近期持續上漲，DDR5 現貨均價從 9 月底 7.676 美元飆升至 11 月初的 20.938 美元，DDR4 與 NAND 合約價亦較上季上漲 11%。三星、SanDisk 等主要廠商紛紛調價，最高漲幅達 60%，且供需緊張態勢恐延續至 2026 年。

長城證券認為，此輪漲價源自於 AI 需求推動產能向高階製程轉移，加上重量級廠商控供策略，傳統消費級記憶體產能受到擠壓。

依託中國大陸的成本與規模優勢，長鑫儲存正加速技術迭代與產品佈局，上月量產的 LPDDR5X 產品中，10667Mbps 速率版本已啟動客戶送樣，8533Mbps 和 9600Mbps 產品於 5 月實現量產。

中信證券分析指出，長鑫儲存產能去年已翻倍成長，未來若成功上市，可望進一步推動擴產，並提升設備國產化率，逐步縮小與國際廠商的差距。