南亞科全力衝刺客製化記憶體 2026年底前亮相

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 積極布局邊緣 AI 裝置，專注客製化高頻寬記憶體 (HBM)，總經理李培瑛今 (26) 日表示，公司正與封測夥伴福懋科技 (8131-TW)、補丁科技與先進製程的晶圓代工廠合作，相關產品將會在 2026 年底前亮相，屆時期望完成客戶驗證。

南亞科指出，公司與福懋科技合作建置 3D 矽穿孔 + (TSV) 製程及多晶片堆疊封裝的製造能力，同時投資補丁科技，共同開發高效能、低功耗的記憶體解決方案，且隨著客製化記憶體的基礎裸晶 (Basedie) 推進至先進製程，也正與領先的晶圓代工廠合作。

對於南亞科在 HBM 市場的發展策略，李培瑛坦言，南亞科對於 HBM3E/4、甚至回頭去做 HBM2，都不是最立即的目標，而是專注在客製化 HBM 的製程與產品，應用在 AI PC、AI 手機、機器人與汽車等，希望明年底以前完成客戶驗證。

李培瑛指出，目前業界普遍採用 16Gb 的高頻寬記憶體 (HBM)，未來將朝 24Gb、32Gb 發展，而 HBM 技術發展的關鍵包含四大要素，首先是高密度設計，其次是多晶片封裝，再來是高頻寬設計，最後則是先進製程的基礎裸晶 (Basedie) 控制器。

李培瑛補充，真對前三大關鍵要素，南亞科都可提供，但因為公司並未涉略邏輯製程或邏輯研發，第四點要素會攜手生態系夥伴與客戶合作，尤其隨著高頻寬記憶體市場需求提升，客戶對先進製程的基礎裸晶需求增加，將成為公司成長的契機。