400層

02-24

陸媒：三星與長江儲存達成專利合作

據大陸科技媒體《芯通社》報導，半導體巨頭三星電子近日宣布，已與中國儲存晶片製造商長江儲存 (YMTC) 簽署一項關鍵專利授權協議，涉及下一代 3D NAND 快閃記憶體的核心封裝技術－混合鍵結 (Hybrid Bonding)。報導稱，此舉標誌著三星在突破 400 層 NAND 技術瓶頸的關鍵節點上，選擇了與中國本土企業深度合作，而非傳統的技術對抗路徑。