韓媒：輝達雖已在測試三星的HBM 但SK海力士仍遙遙領先

據南韓《朝鮮日報》報導，輝達 (NVDA-US) 執行長黃仁勳雖然已經開始測試三星的 HBM3E，但還未真正開始使用，SK 海力士仍是這一領域的領先者。

報導稱，在「GTC 2024」上，黃仁勳參觀了合作公司的展位。 其中，參觀三星電子展位並觀看展示的 HBM3E 時，黃仁勳留下了一個手寫的牌子，上面寫著「Jensen Approved」。 三星電子美洲區副總裁 Jinman Han 在 LinkedIn 上發布了一張照片，並寫道：「黃仁勳親自對三星的 HBM3E 蓋章表示認可。」

不過，在此前一天，黃仁勳被問及三星電子的 HBM 時，他回答說：「我們還沒有使用它，我們正在對其進行資格認證。 」

目前，SK 海力士供應了輝達 AI 半導體中使用的大部分 HBM 產品，美光 (MU-US) 也從去年開始供應部分產品。 據了解，三星電子的 HBM 驗證比競爭對手落後 1 年左右。

報導引述一位半導體產業官員表示，「由於 HBM 是輝達 AI 半導體的核心零件，這可能是一種鼓勵製造商的嘗試。很難理解這到底意味著什麼，但向輝達供應 HBM3E 的公司之間的競爭非常激烈。」

而根據 ChosunBiz 對三星電子和 SK 海力士的競爭力比較後指出，雖然整個 HBM 市場由 SK 海力士和三星電子瓜分，但 SK 海力士處於領先地位，在主流第四代 HBM (HBM3) 領域占據了 90% 以上的市場份額 (根據市場研究機構 TrendForce 的數據)。

HBM 的平均售價比 DDR4 DRAM 高出約 5 倍，SK 海力士去年第四季在全球半導體記憶體領域迅速恢復獲利，很大程度上歸功於 HBM。

報導稱，第三代 HBM (HBM2E) 是兩家公司在 HBM 市場上的重要分界點。 SK 海力士在 HBM2E 中搶先引進了 TSV 製程技術中，最具技術挑戰性的 Mass Reflow Molded Underfill(MR-MUF) 技術。 SK 海力士專有的 MR-MUF 技術是一種將保護材料插入堆疊晶片之間，並一次固化的製程。 它比三星電子和美光科技使用的製程 (逐個堆疊時在每個晶片上覆蓋一層薄膜狀材料) 更有效率、散熱更強。