微矽電子掛牌上市 強漲38%大展蜜月行情
鉅亨網記者魏志豪 台北 2024-03-07 13:33
微矽電子 (8162-TW) 今 (7) 日以每股 35 元掛牌上市,最高衝上 48.5 元,漲幅達 38% 左右,董事長張秉堂表示,隨著節能趨勢成形,各家積極投入氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 等第三代半導體解決方案,為滿足客戶需求,也啟動擴產計畫,新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台,貢獻下半年營運。
第三代半導體與傳統矽基半導體相比,具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性,在快速充電器、AI 伺服器、無人機、家電、5G 通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域應用前景佳。微矽電子深耕第三代半導體多年,具備氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 晶圓測試的技術與經驗,並已取得多家晶圓廠與 IC 設計公司的認證。
張秉堂指出,微矽電子 2014 年即切入 GaN 晶圓測試領域,具有多年氮化鎵及碳化矽晶圓測試領域的開發經驗,其中氮化鎵與國內外多家晶圓廠與 IC 設計公司合作開發測試,並已累積相當的銷售實績,未來隨著終端產品對氮化鎵需求成長,公司可快速導入量產,帶動未來成長。
此外,未來隨著車用市場對 SiC 功率元件需求提升,微矽電子可藉由多年與 SiC 客戶長期合作,累積開發驗證與量產經驗,取得國際車用大廠之認證,藉此跨入高規格車用市場領域,成為帶動未來營收成長的另一契機。
張秉堂看好,微矽電子除技術領先同業外,公司也持續強化製程管理與提升產能利用率,並加強控管生產成本,及在生產技術與先進測試技術上持續進行精進與改良,以增加產品價格競爭力,使產能得到充分且穩定的利用。
微矽電子加工服務之主力產品為功率半導體 (Power Semiconductor) 中的 MOSFET、氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 與電源管理 IC(PMIC),產品與提升電源效率及節能息息相關,完美契合當前 ESG 的發展潮流。隨著節能意識抬頭,功率半導體需求成長,微矽電子將可望長期受惠,未來發展可期。
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