2023年基期低 估明年DRAM、NAND Flash需求位元將年增逾1成
鉅亨網新聞中心
- 研調機構 TrendForce 預期,由於 2023 年基期已低,加上部分記憶體產品價格已來到相對低點,預估明年 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長率分別達 13% 及 16%。
研調機構 TrendForce 預期,由於 2023 年基期已低,加上部分記憶體產品價格已來到相對低點,預估明年 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長率分別達 13% 及 16%。

TrendForce 指出,2024 年記憶體原廠對 DRAM 與 NAND Flash 的減產策略仍將延續,尤以虧損嚴重的 NAND Flash 更明確,預估明年上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗,加上通用型伺服器資本支出仍受 AI 伺服器排擠,需求相對疲弱。
不過,TrendForce 認為,儘管需求位元有回升,明年若要有效去化庫存,並回到供需平衡狀態,重點還是供應商要對產能有所節制,若供應商產能控制得宜,記憶體均價有機會反彈。
從各類應用分析,PC 方面,PC DRAM 平均搭載容量年成長率約 12.4%,主要是預期 2024 年隨著搭載 Intel 新 CPU Meteor Lake 機種的量產,基於該平台僅支援 DDR5 與 LPDDR5 的特點,將促使 DDR5 在 2024 年下半年超越 DDR4 成為主流,PC Client SSD 成長不若 PC DRAM,平均搭載容量年成長率預估僅約 8-10%。
伺服器方面,Server DRAM 平均搭載容量年成長率預估可達 17.3%,主要受惠於伺服器平台進入世代轉換、CSP 部分業務對於 CPU 核心匹配 RAM 的仰賴度提升,以及 AI 伺服器算力負載量需求高等原因。Enterprise SSD 平搭載容量年成長率預估約 14.7%,以 CSP 來看,隨著支援 PCIe 5.0 的處理器平台出貨放量,該 OEM 的庫存有望在明年初回歸正常,後續將提高 8TB 產品的採購。
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