談遭台積電超車 英特爾CEO：正超前進度迎頭趕上

英特爾 (INTC-US) 執行長基辛格 (Pat Gelsinger) 周三 (19 日) 受訪，將半導體產業龍頭地位遭三星、台積電 (2330-TW)(TSM-US) 超車原因，歸咎於傲慢自大，他並說，英特爾正在迎頭趕上、且是照進度或超前進度中，持續進逼台積電龍頭地位。

基辛格周三接受彭博社採訪，除敦促美國與歐洲竭力將晶片製造帶回本土外，也再重申將重返半導體產業龍頭廠的決心。

基辛格認為，英特爾在半導體產業領先數十年後，有點傲慢、也有點狂妄自大，對自己的技術感到自滿，因此被三星、台積電超車。

不過，基辛格也說，將在未來 4 年內推出 5 個製程節點，展開前所未有的步調與執行力。

英特爾去年 7 月揭示先進製程技術藍圖，將從 4 奈米製程起採用極紫外光 (EUV) 微影技術，2023 年下半年量產 3 奈米製程，2024 年跨入 Intel 20A(即台積電的 2 奈米)、並逐步量產。

英特爾除頻頻對外喊話要重返產業龍頭地位，近日也搶先台積電一步，成為艾司摩爾 (ASML) 下世代 High-NA 量產型 EUV 曝光機 EXE:5200 的首家客戶，而台積電先前已向 ASML 採購研發型機台，業界預期，隨著寶山 2 奈米廠啟動建廠，台積電今年也可望跟進採購量產型 EUV 曝光機。

除英特爾宣示要在 2024 年量產 Intel 20A(2 奈米) 製程，三星先前也放話 2025 年要超車台積電，搶先量產 2 奈米；面對對手放話超車，台積電總裁魏哲家在去年 10 月法說會上，信心十足回應，2025 年台積電 2 奈米製程不論是密度或是效能，都將是最領先的技術。