〈觀察〉第三代半導體、先進製程雙軌並進 檢測分析迎高速成長期

〈觀察〉第三代半導體、先進製程雙軌並進 檢測分析迎高速成長期。(圖:AFP)
〈觀察〉第三代半導體、先進製程雙軌並進 檢測分析迎高速成長期。(圖:AFP)

隨著 5G、AI、電動車應用興起,半導體衍生出兩大趨勢,一是既有矽基技術走向先進製程,另一則是碳化矽 (SiC) 等新興材料崛起,隨著結構全面轉變,也帶動檢測分析需求進入高速成長期,閎康 (3587-TW)、汎銓 (6830-TE)、宜特 (3289-TW) 等業者均可望大啖相關商機。

業界分析,半導體製程從 5 奈米跨入 3 奈米,不僅線寬逐漸縮小外,主要技術也從現有的鰭式場效電晶體 (FinFET),改為環繞式閘極結構 (GAA),金屬閘極自先前的三面包覆,改由全面包覆,電晶體結構出現變化,材料分析需求也跟著增加。

不僅先進製程技術轉變,各家晶圓代工廠為延伸摩爾定律,也力推堆疊封裝,如 2.5D、3D 封裝等,透過邏輯晶片、記憶體晶片相互堆疊,滿足高速傳輸功效,各種異質整合過程中,也衍生出各材料分析的需求。

此外,近來電動車趨勢盛行,不僅新創車廠積極投入,各大傳統車廠也加入研發,期望能加快充電速度,掌握技術優勢,不過,由於第一代、第二代半導體受限材料特性,無法滿足現行需求,因此改採第三代半導體,如碳化矽 (SiC) 等。

不過,由於碳化矽 (SiC) 屬新興材料,相關業者進入初步設計階段時,便面臨挑戰,因此需藉由材料分析提供數據背景、完善整體設計,尤其近來採用第三代半導體的業者增加,材料分析訂單也等比成長。

閎康、汎銓今年已積極擴充研發、分析設備,加上需求強勁,效益已顯現在營收上,兩家 8 月營收分別達 3.03 億、1.3 億元,雙雙創下歷史新高,且為因應客戶需求,也擬定新一輪資本支出計畫。


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