日媒:中國長江存儲計畫今年產量翻倍 試產先進3D NAND產品

日媒:中國長江存儲計畫今年產量翻倍 試產先進3D NAND產品(圖:AFP)
日媒:中國長江存儲計畫今年產量翻倍 試產先進3D NAND產品(圖:AFP)

據《日經亞洲評論》報導,中國最大的存儲晶片製造商長江存儲 (Yangtze memory Technologies) 計畫今年將產量翻倍,並開始生產 3D NAND 快閃記憶體晶片等先進產品,以期追趕三星電子等全球領軍者。

長江存儲的目標如果能夠實現,將是近年來中國在打造成熟半導體供應鏈上,邁出重要一步。NAND 用於幾乎所有計算設備,包括智慧手機、個人電腦、伺服器及連網汽車等的記憶體和儲存上,但生產僅由少數幾家全球廠商控制。

消息人士稱,長江存儲預計今年將其記憶體晶片每月產能擴增 1 倍,至 10 萬片,約占全球總產量的 7%。

相較之下,全球最大的 NAND 快閃記憶體晶片製造商三星電子每月生產約 48 萬片,美光每月生產約 18 萬片。

除了提高現有晶片的產量,長江存儲還在加速技術開發,知情人士表示,這家北京支援的晶片製造商,最早將於 2021 年年中試產第一批 192 層 3D NAND 快閃記憶體晶片,成為首個試產這類產品的中國製造商。

消息人士補充,這一計畫可能會延遲到今年下半年,即便如此,這一時間表也會是中國本地晶片製造商向前邁出了一大步。

長江存儲計畫生產的 192 層晶片,預計比三星和美光開發的晶片更先進,但市場觀察人士持謹慎態度,認為長江存儲的晶片是否具備所需的性能和品質,還有待觀察。


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