〈高啟全離開紫光〉助力長江存儲自主開發3D NAND 成中國記憶體產業重要推手

高啟全加入紫光集團後，成為協助打造中國國家級 NAND Flash 產業的重要推手，紫光集團旗下長江存儲已成功開發 Xtacking 技術，累積自己的 3D NAND 專利，並於今年 4 月完成研發 128 層 3D NAND 晶片，要以 3D NAND 技術，快速追趕三星、SK 海力士等一線 NAND Flash 大廠。

高啟全在紫光集團擔任全球執行副總裁、長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯執行長等職務，當初轉戰紫光的契機，是因與紫光集團董事長趙偉國相談後，發現雙方在發展記憶體產業上的方向與想法一致，也有共同目標，要對抗在記憶體領域獨霸一方的三星，便於 2015 年 10 月時轉戰紫光集團。

而中國政府透過國家集成電路產業投資基金 (大基金)，要達成記憶體晶片自製化，並傾向集中資源扶植一家公司，當時，湖北省政府、武漢新芯與紫光均相當有興趣，在大基金的牽線下，紫光與武漢新芯共同攜手，而高啟全就成了打造中國國家級 NAND Flash 產業的重要推手。

2016 年時，紫光國芯與武漢新芯 2 家公司合併，成立長江存儲，在大基金全力扶植下，長江存儲不到 4 年時間便快速崛起，2018 年 8 月在美國發佈 Xtacking 技術，累積自己的 3D NAND 專利，2019 年底陸續推出 32 層、64 層 3D NAND 晶片，並直接跳過 96 層，於今年 4 月宣布完成研發 128 層 3D NAND 晶片。

長江存儲在發展 3D NAND 初期，就取得專利授權，並在此基礎上研發 32 層 3D NAND，但從 64 層起，便走向獨立自主開發。高啟全認為，自主開發得用合法方式來獲得，不能竊取技術，才能吸引全球人才、打造國際化的規格，而 Xtacking 技術，就是代表長江存儲最重要的自主智慧財產權。

隨著長江存儲展現研發能量，在技術上大躍進，擴產計畫也如火如荼進行中，目前武漢廠月產能 10 萬片，並在逐步完成武漢廠區剩餘二座廠房的興建與擴產，也規劃在成都新廠建置 10 萬片產能，待明年完工後，總產能將擴增至 30 萬片。