SK海力士成功研發176層堆疊4D NAND快閃記憶體

根據《韓聯社》週一 (7 日) 報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 週一 (7 日) 表示，該公司已於近期內成功研發出基於三層儲存單元 (Triple Level Cell，TLC) 的 176 層堆疊 512Gb NAND 快閃記憶體。

在去年 6 月的時候，SK 海力士搶先全世界，成功量產了 128 層堆疊的 4D NAND 快閃記憶體。而在這回，SK 海力士則是晚了美國美光 (MU-US) 一步，美光在 11 月的時候宣布該公司已經展開 176 層堆疊 NAND 快閃記憶體的出貨。

有關這回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快閃記憶體，該公司在介紹時提到產品性能達到業界最高水準，比起上一代的 128 層堆疊產品，生產率提高 35% 以上，也隨之拉高在成本方面的競爭力。

此外，比起上一代產品，資料讀取速度快 20%，數據的傳輸速度更提升 33% 至 1.6Gb/s。

在上個月的時候，SK 海力士已將 NAND 樣本提供給生產快閃記憶體控制晶片的廠商，計畫 2021 年 6 月左右進入量產，並依序推出消費級 SSD、企業級 SSD 等產品，將市場擴展到各個領域。

另外，根據了解，全球最大記憶體廠的三星電子 (005930-KR) 目前正著手第 7 代 V-NAND 的研發，預計 2021 年展開量產。