聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場

聯電也積極佈局氮化鎵(GaN)代工。(圖:取材自聯電官網)
聯電也積極佈局氮化鎵(GaN)代工。(圖:取材自聯電官網)

晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN),除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外,世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣,聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發,攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示,GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作,仍處於研發階段,初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標,未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司,為其新投資事業群的一員,提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達,及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損,去年虧損 2.79 億元,今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產;台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體,意法將採用台積電的 GaN 製程技術,生產氮化鎵產品,加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市,攜手搶攻電動車市場商機。

世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多,與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年底前將送樣客戶做產品驗證,初期主要瞄準電源相關應用。


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