〈觀察〉擺脫技術授權箝制 記憶體廠迎向全數自主研發新里程碑

三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)
三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)

DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 日前宣布,已開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,確立下世代製程將採用自主研發技術。隨著南亞科擺脫國際大廠技術授權箝制,也標誌著國內記憶體廠全數走向自行開發記憶體技術的新里程碑,未來將可掌握技術開發步調,不再被龐大的授權金與專利費用拖累營運表現。

南亞科從成立至今,已轉換過 15 個世代的製程技術,目前主力為 20 奈米製程技術,來自美光授權,初期為雙方共同研發,再前一世代的 30 奈米、42 奈米,也都是與美光共同研發,以取得主流製程技術;再往更早期的世代推進,則曾與英飛凌、IBM 共同研發,上一個完全自主開發的製程技術為 99 奈米。

時隔多個製程世代,歷經產業低谷與高峰,南亞科總算再度走回自主研發之路,開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,第一代 10 奈米級前導產品預計下半年進入試產,第二代 10 奈米製程技術則已進入研發階段,預計 2022 年前試產,確立下世代 10 奈米級 DRAM 將採用自主研發技術,不再走授權,擺脫動輒上百億元的授權金與專利費用。

南亞科總經理李培瑛表示,新製程技術為南亞科帶來新的技術平台,並為未來更高密度的 LPDDR5、LPDDR6 提供向下發展機會,且由於是自主開發,可掌握技術開發步調,不用仰賴他廠授權,成本上也能有所改善,雖然每世代成本改善不是很大,但逐步累積還是有好處。

華邦電 (2344-TW) 擁有工研院技轉背景,並曾與東芝、富士通共同開發 0.13 微米 DRAM 製程技術,0.11 微米 DRAM 製程授權自英飛凌,而 80 奈米 DRAM 製程則來自英飛凌分割出來的奇夢達授權。

不過,在奇夢達倒閉後,華邦電體認到自主研發的重要性,不願再依賴技術授權,開始走向自主研發,買下奇夢達的 46 奈米 DRAM 製程技術,成為其自主研發基礎,而後並成功自主開發 38 奈米、25 奈米 DRAM 製程技術,下世代 20 奈米製程技術則預計今年底就緒。

除 DRAM 外,華邦電也擁有自主研發 NOR Flash 與 NAND Flash 的能力,目前 NAND Flash 製程以 46 奈米為主力,後續在製程微縮後,可望進入 32 奈米世代,而 NOR Flash 製程目前則以 46、58 奈米為主,也有部分仍採用 90 奈米製程。

旺宏 (2337-TW) 則是除 ROM 早期曾取得他廠技術授權外,在 NOR Flash 與 NAND Flash 上,一路走來均堅持自主研發技術,NOR Flash 由初期的 150 奈米、130 奈米、110 奈米,進而走向 75 奈米、55 奈米製程技術;NAND Flash 從 75 奈米、走到 36 奈米,去年更成功量產 19 奈米 SLC NAND Flash,持續追趕 NAND Flash 大廠的腳步。


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