〈南亞科法說〉下世代不走授權 自主開發10奈米製程 首代產品下半年試產

南亞科總經理李培瑛。(鉅亨網資料照)
南亞科總經理李培瑛。(鉅亨網資料照)

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 今 (10) 日宣布,開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,第一代 10 奈米級前導產品預計下半年進入試產,第二代 10 奈米製程技術則已進入研發階段,預計 2022 年前試產,確立下世代 10 奈米 DRAM 將採用自主研發技術,不再走授權。

南亞科近幾個世代製程技術,均來自美光授權,而針對新世代製程進度,南亞科去年時表示,投入 10 奈米製程技術有 2 個方向,一為採用美光授權技術、二為自主研發,並會在去年底決定要向美光取得技術授權、或自主開發。

而南亞科今日宣布,開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術,使其 DRAM 產品可持續微縮至少 3 個世代,第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5,將建構在自主製程技術及產品技術平台,涵蓋消費型、低功率與標準型產品,預計今年下半年陸續進入產品試產。

至於第二代 10 奈米級製程技術,南亞科表示,目前已進入研發階段,預計 2022 年前導入試產,也會開發第三代 10 奈米級製程技術。

南亞科總經理李培瑛表示,新製程技術為南亞科帶來新的技術平台,並為未來更高密度的 LPDDR5、LPDDR6 提供向下發展機會,且由於是自主開發,可掌握技術開發步調,不用仰賴他廠授權,成本上也能有所改善,雖然每世代成本改善不是很大,但逐步累積還是有好處。

南亞科上世代 20 奈米製程技術來自美光授權,初期為雙方共同研發,再前一世代的 30 奈米、42 奈米也都是與美光共同研發,再更往前世代推進,則曾與英飛凌、IBM 共同研發,上一個完全自主開發的製程技術則是 99 奈米。


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