海力士
美股雷達
《路透》周六 (21 日) 報導，根據知情人士透露，美國商務部正考慮撤銷近年來授予三星電子 (Samsung)、SK 海力士 (SK Hynix) 及台積電 (TSM-US) 等全球晶片製造商的授權，這將使他們更難在中國的工廠取得美國商品與技術。
美股雷達
根據《華爾街日報》周五 (20 日) 獨家報導，美國官員告知全球主要半導體製造商，擬撤銷其在中國使用美國技術的豁免權。此舉可能對三星電子、SK 海力士及台積電 (TSM-US)(2330-TW) 等廠商在中國的營運造成衝擊，並加劇美中貿易緊張關係。
台股新聞
2025 年記憶體市場供需結構持續改善，三大原廠啟動減產策略，搭配 AI 應用帶動高階記憶體需求，整體價格有望落底反彈，NAND Flash 方面，2025 年供給預估年增僅 13%，遠低於 2021 年之 55%，減產效益擴大。DRAM 則在 AI 伺服器、行動裝置升級與品牌提前備貨下，報價逐步止跌回穩，記憶體產業將迎來新一波回補週期。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 26 日宣布已成功向客戶供應第六代 10 奈米級 DRAM 樣品，反超韓國三星與 SK 海力士，打破原有的市場格局。美光表示，將於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ（1-gamma）製程技術的 16Gb DDR5 記憶體，這是美光首次採用極紫外光（EUV）曝光技術。
A股港股
TechInsights 分析顯示，長江存儲已開始出貨其第五代 3D NAND 儲存 晶片，該晶片共有 294 層，有 232 個有效層。新晶片的位元密度接近每平方毫米 20 Gb(19.8 Gb/mm²)，與 SK Hynix 目前的產品相當，接近 Kioxia / 西部數據的最新產品。
歐亞股
韓媒報導，三星已完成 HBM4 的邏輯晶片設計，採用自家 4 奈米試產，待完成最終性能驗證後，三星將提供 HBM4 樣品驗證，成為全球首支第六代 HBM。三星試圖 HBM4 採取更積極路線，以挽回 HBM3E 流失的 HBM 市佔。除自家 4 奈米製造邏輯晶片外，HBM4 還導入 10 奈米級 1c 製程生產 DRAM，有望 16 層堆疊導入無凸塊混合鍵合。
歐亞股
三星電子提前進行年終人事變動，已向高階人事主管發出退休通知，並動手裁撤部分晶片主管，今 (27 日) 宣布人事內容，顯示要重振營運的決心。三星電子今 (27 日) 宣布，半導體及設備解決方案（DS）部門的負責人、公司副董事長全永鉉（Jun Young-hyun）被委以更大職責，將擔任三星聯合首席執行長，同時負責 DS 和記憶體晶片業務。