記憶體晶片
美股雷達
美光兩年來首次出現「死亡交叉」
美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 週一暴跌，兩年來首次出現「死亡交叉」，預示著虧損可能開始加速。美光股價週一走弱之際，摩根士丹利 (Morgan Stanley) 分析師對美光和記憶體晶片市場的前景做出了悲觀評估，他們認為未來幾季盈利增長預期將觸頂並出現逆轉，這可能導致該產業估值縮水近 30%。
科技
AI帶旺出口！韓8月記憶體出口額飆72% 專家：算力需求刺激下 將持續高速成長
南韓科學技術資訊通信部上週五 (13 日) 公佈數據指出，該國上月晶片出口額年增 37.6% 至 119 億美元，連 10 月實現兩位數成長，記憶體晶片出口額更大幅年增 71.7%，專家認為在 AI 算力需求的刺激下，被視為半導體產業風向球的記憶體市場有望進一步實現高速成長。
美股雷達
三星8層HBM3E晶片傳通過輝達測試 Q4開始供貨
《路透社》週三引述消息人士報導，三星電子第五代 HBM3E 記憶體晶片的 8 層版本已經通過輝達 (NVDA-US) 的測試。三星電子一直致力於追趕南韓競爭對手 SK 海力士，希望提供能夠處理生成式人工智慧 (AI) 工作的先進記憶體晶片。消息人士稱，三星電子和輝達尚未就 8 層 HBM3E 記憶體晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，預計第四季開始供應。
歐亞股
三星：計畫今年第三季量產8層HBM3E
南韓三星電子在公布 2024 年第二季財報的電話會議上表示，「第五代 8 層 HBM3E 產品正如常接受客戶評估，公司計畫於今年第三季實現量產。」三星表示，公司已經完成了半導體產業首次開發的 12 層 HBM3E 晶片的量產準備，未來將根據多個客戶的需求時間表，在今年下半年擴大供應。
美股雷達
美光指其DRAM供應受台灣地震影響
記憶體晶片製造商美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 周四 (11 日) 表示，4 月 3 日發生在台灣的地震將使其動態隨機存取記憶體 (DRAM) 供應量損失高達中個位數百分比。該公司在台灣設有四個辦事處。台灣在全球晶片供應鏈中占有重要地位，地震引發了人們對潛在中斷的擔憂。
台股新聞
佳能想用NIL技術挑戰EUV ，台積電、聯電 、光罩將有機會受惠
〈奈米壓印微影技術與三大曝光機廠〉日本半導體設備大廠佳能 (Canon) 在 10 月 13 日宣布開賣採用奈米壓印 (Nano-imprint Lithography，NIL) 技術的微影設備 FPA-1200NZ2C，Canon 表示奈米壓印微影設備可用來生產現行最先進的 5 奈米記憶體晶片，期望改良後可進一步用來生產 2 奈米產品，試圖挑戰半導體設備龍頭廠艾司摩爾 (ASML-US) 的地位。